[发明专利]自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法有效
| 申请号： | 201410546087.2 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104386645A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 叶鑫;蒋晓东;黄进;刘红婕;孙来喜;周信达;王凤蕊;周晓燕;耿锋 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02B1/11 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 何邈 |
| 地址： | 621900 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，将玻璃基体置于具有混合反应气体的反应室中实施等离子体刻蚀制程，通过控制刻蚀参数使刻蚀过程中在玻璃基体的表面生成的纳米级岛状聚合物薄膜作为刻蚀过程的掩膜，以使在所述的玻璃基体的表面生成随机分布的折射率渐变的锥形减反射微纳结构。本发明无需任何掩膜技术仅需调整反应离子刻蚀的工艺即可在基体表面制备减反射效果明显的亚波长微结构，突破模版技术的诸多限制，大大简化了工艺流程；可以在不同种类的玻璃表面制备亚波长微结构，突破材料的限制；可以应用在任意形状光学元件表面而不会破坏原来结构，有利于实现具有复合功能的光学元件，有利于光学系统的集成化、小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 随机 波长 宽带 反射 微结构 方法 | ||
【主权项】：
一种自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：将玻璃基体置于具有混合反应气体的反应室中实施等离子体刻蚀制程，通过控制刻蚀参数使刻蚀过程中在玻璃基体的表面生成的纳米级岛状聚合物薄膜作为刻蚀过程的掩膜，以使在所述的玻璃基体的表面生成随机分布的折射率渐变的锥形减反射微纳结构。
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