[发明专利]自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法有效
| 申请号： | 201410546087.2 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104386645A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 叶鑫;蒋晓东;黄进;刘红婕;孙来喜;周信达;王凤蕊;周晓燕;耿锋 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G02B1/11 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 何邈 |
| 地址： | 621900 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 随机 波长 宽带 反射 微结构 方法 | ||
1.一种自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：将玻璃基体置于具有混合反应气体的反应室中实施等离子体刻蚀制程，通过控制刻蚀参数使刻蚀过程中在玻璃基体的表面生成的纳米级岛状聚合物薄膜作为刻蚀过程的掩膜，以使在所述的玻璃基体的表面生成随机分布的折射率渐变的锥形减反射微纳结构。
2.根据权利要求1所述的自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：包括以下步骤：
1）元件清洗步骤，对所述的玻璃基体进行表面清洁；
2）设备初始化步骤，对等离子刻蚀设备进行初始化操作以确保产生等离子体辉光放电以及刻蚀条件稳定；
3）反应离子刻蚀步骤，控制刻蚀参数以利用干法刻蚀的草地效应对玻璃基体进行刻蚀处理；其中，所述的刻蚀参数包括等离子体的气体组分和气体流量、刻蚀工作气压、刻蚀功率和刻蚀时间。
3.根据权利要求2所述的自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：所述的等离子体的气体组分包括CHF3、SF6以及He。
4.根据权利要求2所述的自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：所述的等离子体的气体流量如下：CHF3流量为20~40sccm、He流量为100~200sccm、SF6流量为5~15sccm。
5.根据权利要求2所述的自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：在所述的反应离子刻蚀步骤中反应离子刻蚀的功率为50~200w。
6.根据权利要求2所述的自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：在所述的反应离子刻蚀步骤中反应室工作压强为50~2000mtorr。
7.根据权利要求2所述的自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：在所述的反应离子刻蚀步骤中刻蚀的时间5分钟到60分钟。
8.根据权利要求1所述的自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：所述的锥形减反射微纳结构的特征尺寸小于实施的光波长。
9.根据权利要求1所述的自掩膜制备随机亚波长宽带减反射微结构的方法，其特征在于：所述的玻璃基体包括熔石英、K9玻璃、BK7或者普通玻璃中任意一种。
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