[发明专利]用于光通信系统的半导体光放大器有效
| 申请号： | 201410538546.2 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105514771B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 孙晓;昌庆江 | 申请（专利权）人： | 上海诺基亚贝尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/067 | 分类号： | H01S3/067;G02F1/39 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 201206 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于光通信系统的半导体光放大器，其特征在于，所述半导体光放大器的有源层的结构为包括第一有源层和第二有源层的双有源层结构。有利地，所述第一有源层为量子阱层并且所述第二有源层为量子点层。依据本发明的用于光通信系统的半导体光放大器的3dB增益带宽能够达到至少100nm的带宽，从而能够覆盖时分波分复用无源光网络(TWDM‑PON)以及波分复用无源光网络(WDM‑PON)的最新设计要求，一方面能够实现上下行信号的半导体光放大器的复用，从而减少光放大器的数量并且降低光放大器乃至整个无源光网络的架构成本；此外还减小了由于数量众多的光放大器所带来的功率损害并且减小了其所引入的噪声从而提高了整个系统的信号传输性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光通信 系统 半导体 放大器 | ||
【主权项】：
1.一种用于光通信系统的半导体光放大器，其特征在于，所述半导体光放大器的有源层的结构为包括第一有源层和第二有源层的双有源层结构，并且所述第一有源层和所述第二有源层之间的能级差保持在预定阈值之下，以增强电子在所述第一有源层和所述第二有源层之间的相互作用。
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