[发明专利]用于测量SRAM阵列电容的测试电路及测量SRAM阵列电容的方法有效
| 申请号： | 201410537903.3 | 申请日： | 2014-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN105489248B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张弓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于测量SRAM阵列电容的测试电路及测量SRAM阵列电容的方法。所述测试电路包括：待测SRAM阵列、用于与待测SRAM阵列进行比较的比较SRAM阵列、与待测SRAM阵列相对应的第一PMOS管和第一NMOS管、以及与比较SRAM阵列相对应的第二PMOS管和第二NMOS管。本发明所提供的用于测量SRAM阵列电容的测试电路仅在测试结构中添加若干器件，结构简单，易于实现，并且通过该测试电路，可以通过测量电流而非直接测量电容来间接测得电容，测量速度更快，测量精度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 sram 阵列 电容 测试 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量SRAM阵列电容的测试电路，其特征在于，所述测试电路包括：待测SRAM阵列、用于与所述待测SRAM阵列进行比较的比较SRAM阵列、与所述待测SRAM阵列相对应的第一PMOS管和第一NMOS管、以及与所述比较SRAM阵列相对应的第二PMOS管和第二NMOS管，其中，所述第一PMOS管的漏极连接第一电源，所述第二PMOS管的漏极连接第二电源；所述第一NMOS管的源极连接第三电源，所述第二NMOS管的源极连接所述第三电源；所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极相连接，所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极相连接；所述待测SRAM阵列的第一端口连接所述第一PMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极，所述待测SRAM阵列的第二端口连接所述第三电源；所述比较SRAM阵列的第一端口连接所述第二PMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极，所述比较SRAM阵列的第二端口连接所述第三电源。
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