[发明专利]一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法在审
| 申请号： | 201410536346.3 | 申请日： | 2014-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104392898A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;张绵;王青;尧舜;高鹏坤;郑建华 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法，首先将GaAS晶圆用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用盐酸溶液浸泡GaAS衬底，除去表面的氧化层；接着采用紫外-臭氧方法对GaAs表面进行钝化；最后将钝化后的GaAS衬底用去离子水冲洗表面并用高纯氮气吹干。本发明处理后晶圆的表面氧化物接近未处理前晶圆的表面特性，同时钝化后器件的功率特性、增益特性，特别是抗电压特性有了明显的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 钝化 gaas 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种清洗钝化GaAS晶圆表面的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤，首先将GaAs衬底用有机溶液处理，除去表面的油污；然后用盐酸溶液浸泡GaAS晶圆，除去表面的自体氧化层；接着采用紫外‑臭氧方法对GaAs表面进行钝化；最后将钝化后的GaAS衬底用去离子水冲洗表面并用高纯氮气吹干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
