[发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 201410532164.9 申请日: 2014-10-10
公开(公告)号: CN104576671A 公开(公告)日: 2015-04-29
发明(设计)人: 江田健太郎;吉野健一;奥城慎太郎;福水裕之;南孝明;用正武;芦立浩明 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一实施方式,提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电变换元件、沟槽和第1导电型的半导体区域。光电变换元件具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成为多个,将入射光光电变换为电荷并储存。沟槽形成在相邻的光电变换元件间,从第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成。第1导电型的半导体区域以包围沟槽的外周面的方式设置,含有活性化的第1导电型的杂质。
搜索关键词: 固体 摄像 装置 制造 方法
【主权项】:
一种固体摄像装置,其特征在于,具备:多个光电变换元件,具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在上述半导体层上的第2导电型的半导体区域,将入射光光电变换为电荷而储存;沟槽,形成在相邻的上述光电变换元件间,从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向而形成;以及第1导电型的半导体区域,包围上述沟槽的外周面而设置,含有活性化的第1导电型的杂质。
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