[发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法无效
申请号: | 201410532164.9 | 申请日: | 2014-10-10 |
公开(公告)号: | CN104576671A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 江田健太郎;吉野健一;奥城慎太郎;福水裕之;南孝明;用正武;芦立浩明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一实施方式,提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电变换元件、沟槽和第1导电型的半导体区域。光电变换元件具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成为多个,将入射光光电变换为电荷并储存。沟槽形成在相邻的光电变换元件间,从第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成。第1导电型的半导体区域以包围沟槽的外周面的方式设置,含有活性化的第1导电型的杂质。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种固体摄像装置,其特征在于,具备:多个光电变换元件,具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在上述半导体层上的第2导电型的半导体区域,将入射光光电变换为电荷而储存;沟槽,形成在相邻的上述光电变换元件间,从上述第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向而形成;以及第1导电型的半导体区域,包围上述沟槽的外周面而设置,含有活性化的第1导电型的杂质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410532164.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的