[发明专利]一种掺钠铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法在审
申请号: | 201410531543.6 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104716217A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 薛玉明;尹富红;宋殿友;朱亚东;刘君;潘洪刚;李鹏海;冯少君;张嘉伟;刘浩 | 申请(专利权)人: | 天津理工大学 |
主分类号: | H01L31/073 | 分类号: | H01L31/073;H01L31/032;H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 300384 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒太阳电池器件,其特征在于:衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成,在该复合衬底表面制备铜铟镓硒太阳电池。本发明的优点是:该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜附着性优秀,结晶质量好,晶粒大,缺陷少;在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后,将其与苏打玻璃分离,形成以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池,实现以钢性衬底制备柔性电池;其制备方法简单、易于实施,有利于大规模的推广应用,尤其在太空及特殊场合中具有极其重要的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺钠铜铟镓硒 太阳电池 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法,其特征在于:采用硒化炉薄膜制备系统,应用共蒸发一步法制备工艺,制备步骤如下:1)本底真空为3.0×10‑4Pa,衬底温度为550‑580℃,共蒸发Cu、In、Ga、Se,其中Cu蒸发源温度为1120‑1160℃,In蒸发源温度为850‑900℃,Ga蒸发源温度为880‑920℃,Se蒸发源温度为240‑280℃,蒸发时间为25‑30min;2)将衬底冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的