[发明专利]一种掺钠铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法，其特征在于：采用硒化炉薄膜制备系统，应用共蒸发一步法制备工艺，制备步骤如下：

1)本底真空为3.0×10^-4Pa，衬底温度为550-580℃，共蒸发Cu、In、Ga、Se，其中Cu蒸发源温度为1120-1160℃，In蒸发源温度为850-900℃，Ga蒸发源温度为880-920℃，Se蒸发源温度为240-280℃，蒸发时间为25-30min；

2)将衬底冷却。

2.根据权利要求1所述的共蒸发装置其特征如下：在封闭的真空室内安装自行设计的加工Cu，In，Ga，Se独立蒸发源，衬底支架和衬底加热器，蒸发源是由4个陶瓷坩埚，缠绕Mo加热丝，加上坩埚底下有热电偶，使用PID自动温度控制检测控制温度。

3.根据权利要求2所述的坩埚排列和与衬底之间距离其特征如下：采用Cu，In，Ga源成品字结构，距离衬底280mm，有一定的倾斜的角度，偏离垂直方向5°，由于Se源蒸发温度较低，很容易蒸发出来，需要比其他源要低，距离衬底200mm。

4.根据权利要求1所描述的PID控制各蒸发源实际需要调节的电流电压值其特征为：Cu源，电流18.5A，电压7.4V，In源，电流13.6A，电压4.5V，Ga源电流为15.3A，电压5.6V，Se源电流为3A，电压为2V。