[发明专利]三维存储器的阵列结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410529392.0 | 申请日： | 2014-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105374383A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 黄振浩;黄汉屏;黄宗彬;林于萱;蔡玮展;陈俊丞 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三维存储器的阵列结构及其制造方法，该三维存储器的阵列结构包括：堆叠结构，为由介电层与第一导电层交错堆叠而成的结构，堆叠结构具有孔洞贯穿堆叠结构的各层，且孔洞于介电层与第一导电层处分别具有不同的孔径；第二导电层，设置于堆叠结构中的孔洞；以及数据存储层，设置于堆叠结构与第二导电层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维存储器的阵列结构，包括：堆叠结构，为由介电层与第一导电层交错堆叠而成的结构，其中所述堆叠结构具有孔洞贯穿所述堆叠结构的各层，且所述孔洞于所述介电层与所述第一导电层处分别具有不同的孔径；第二导电层，设置于所述堆叠结构中的所述孔洞；以及数据存储层，设置于所述堆叠结构与所述第二导电层之间。
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