[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410528396.7 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN105575880B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 马孝田;高燕 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供晶圆，晶圆包括半导体衬底和位于半导体衬底上的器件，以及形成于半导体衬底上覆盖器件的层间介电层；在层间介电层上形成负光阻层；对晶圆边缘的无效芯片区域的负光阻层进行预曝光；对剩余的未曝光的负光阻层进行曝光和显影，以形成图案化的负光阻层；以图案化的负光阻层为掩膜，蚀刻层间介电层，形成开口暴露半导体衬底；对开口内暴露的部分半导体衬底进行蚀刻，以形成硅通孔；去除负光阻层。根据本发明的制作方法，避免在晶圆边缘的无效芯片区域形成硅通孔图案，不仅减少了晶圆边缘的剥离问题产生的根源，也大大降低了铜污染Al制程机台的风险，提高了产品的可靠性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的器件，以及形成于所述半导体衬底上覆盖所述器件的层间介电层；在所述层间介电层上形成负光阻层；对所述晶圆边缘的无效芯片区域的所述负光阻层进行预曝光；对剩余的未曝光的所述负光阻层进行曝光和显影，以形成图案化的负光阻层，同时，不会在所述晶圆边缘的无效芯片区域内的所述负光阻层上形成图案；以所述图案化的负光阻层为掩膜，蚀刻所述层间介电层，形成开口暴露所述半导体衬底；对所述开口内暴露的部分所述半导体衬底进行蚀刻，以形成硅通孔；去除所述负光阻层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410528396.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构的形成方法
- 下一篇：搬送装置、搬送方法及蒸镀设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
