[发明专利]NOR闪存结构在审
申请号: | 201410526043.3 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN104269408A | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 谢振;郭强;陈宏领 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提出了一种NOR闪存结构,在字线上设有多个断点形成字线段,字线段之间相互隔离开每个字线段均通过通孔连线与金属连线相连,在进行测试时,金属连线提供相应的电压,若金属连线出现断线缺陷,断点以后的字线将得不到供压,无论在高频还是低频下会导致操作失效,无需进行高频测试也能确保金属连线的断线缺陷测试阶段全部被分拣出来,从而能够及时发现,提高分拣精度,且无需额外设备,降低分拣成本。 | ||
搜索关键词: | nor 闪存 结构 | ||
【主权项】:
一种NOR闪存结构,其特征在于,包括:衬底、多个存储单元、字线、金属硅化物、多个通孔连线及金属连线,其中,所述存储单元形成在所述衬底上,所述字线形成在所述存储单元上,所述金属硅化物形成在所述字线的表面,所述金属连线通过所述通孔连线与所述金属硅化物相连,所述字线设有多个断点形成多个字线段,所述字线段之间相互隔离开,所述通孔连线与所述字线段一一对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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