[发明专利]一种调节高压器件电性的多晶硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410522341.5 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104362085B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 李东;荆泉;任昱;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种调节高压器件电性的多晶硅刻蚀方法，包括在多晶硅栅极刻蚀前测量光刻胶的宽度；计算得出刻蚀后的多晶硅栅极线宽；计算得出刻蚀后抗反射层损耗的线宽；根据抗反射层刻蚀速率，实时修正硅片的刻蚀工艺时间。本发明提出的调节高压器件电性的多晶硅刻蚀方法，采用抗反射层从而直接调整高压栅极的线宽，达到不需要调节离子注入剂量的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 高压 器件 多晶 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种调节高压器件电性的多晶硅刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一硅片，在所述硅片上依次形成多晶硅栅极、硬掩膜层、抗反射层以及光刻胶层；对所述光刻胶层进行刻蚀；在多晶硅栅极刻蚀前测量光刻胶的宽度；计算得出刻蚀后的多晶硅栅极线宽；计算得出刻蚀后抗反射层损耗的线宽；根据抗反射层刻蚀速率，实时修正硅片上的抗反射层的刻蚀工艺时间；当有效电压一定的情况下，源漏电流与多晶硅栅极线宽成反比，从而通过栅极线宽调节高压器件的电性参数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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