[发明专利]MEMS器件的形成方法

摘要

本发明提供一种MEMS器件的形成方法，包括在半导体基底上形成第一牺牲层后，在第一牺牲层上形成阻挡层，之后在阻挡层上形成悬臂梁层，并以阻挡层为停止层，在悬臂梁层中形成凹槽；接着在悬臂梁层上方和凹槽的底部和侧壁形成第二牺牲层后，在第二牺牲层上形成露出凹槽的掩模层，并以掩模层为掩模，去除凹槽底部的第二牺牲层，其中，在以掩模层为掩模去除凹槽底部牺牲层的过程中，阻挡层可保护第一牺牲层免受损伤；在去除凹槽底部的第二牺牲层之后，继续以掩模层为掩模，去除凹槽底部的阻挡层和第一牺牲层至露出半导体基底，从而提高去除凹槽底部的第一牺牲层的针对性，以提高第一牺牲层在结构精度，进而提高后续形成的MEMS器件的性能。

主权项

一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，提供半导体基底；在所述半导体基底上形成第一牺牲层：在所述第一牺牲层上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成悬臂梁层；以所述阻挡层为停止层，在所述悬臂梁层中形成凹槽；在所述悬臂梁层上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖所述悬臂梁层，以及所述凹槽的侧壁和底部；在所述第二牺牲层上形成掩模层，所述掩模层露出所述凹槽；以所述掩模层为掩模，去除所述凹槽底部的第二牺牲层；再以所述掩模层为掩模，去除所述凹槽底部的阻挡层和第一牺牲层，露出所述半导体基底。