[发明专利]焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片有效

专利信息
申请号: 201410519307.2 申请日: 2014-09-30
公开(公告)号: CN104269465A 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 侯治锦;司俊杰;王巍;韩德宽;吕衍秋;王锦春 申请(专利权)人: 中国空空导弹研究院
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/09
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 胡泳棋
地址: 471009 *** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及焦平面探测器相连缺陷元的识别方法与测试基片,本发明提出的相连缺陷元识别方法,将基片处理为一种特殊的具备两种透光率的基片,即在同一基片上,形成具有两种透光率的区域。对于正常元,其响应电压与光敏元所对准的透光率区域对应;对于相连缺陷元,其响应电压是正常元响应电压的平均值(求和求平均);从而识别相邻缺陷元。方法简单易行,效果明显,具有较大的实际应用价值。
搜索关键词: 平面 探测器 相连 缺陷 识别 方法 测试
【主权项】:
焦平面探测器相连缺陷元的识别方法,其特征在于,在基片上形成两种透光率的区域,两种透光率的区域间隔设置;将基片安装在面阵探测器前面;用焦平面探测器测试系统进行测试,得到响应电压数据以识别相连缺陷元。
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