[发明专利]一种测试MOS器件阱电阻的方法

摘要

本发明提供一种测试MOS器件阱电阻的方法，所述测试MOS器件阱电阻的方法至少包括选取芯片中的一个MOS管，将其源极及体区接地，并在栅极加上工作电压VDD，在漏极加上扫描电流ID，同时测量漏极电压VD及体区电流Ibody；绘制VD‑ID曲线，寻找曲线中的漏极电压反转点，记录该反转点所对应的漏极电流ID,turn，通过公式Rw=Vpt/Ibody，turn计算得到阱电阻Rw。本发明选取芯片中本身存在的MOS管作为测试结构来测试阱电阻，不需要额外设计用来测量阱电阻的测试结构，从而节省芯片面积，降低制造成本；本发明还可以进一步根据MOS管的沟道长度、宽度参数得到MOS管的阱方块电阻；为了提高提取精度，本发明可以选取器件尺寸（沟道长度、宽度）较大的MOS管，以减小LDD区域对测试精度的影响。

主权项

一种测试MOS器件阱电阻的方法，其特征在于，所述测试MOS器件阱电阻的方法至少包括：选取芯片中的一个MOS管，将所述MOS管的源极及体区接地，并在所述MOS管的栅极加上工作电压VDD，在所述MOS管的漏极加上扫描电流ID，同时测量所述MOS管的漏极电压VD及体区电流Ibody；绘制VD‑ID曲线，寻找曲线中的漏极电压反转点，记录该反转点所对应的漏极电流ID,turn，通过公式Rw＝Vpt/Ibody，turn计算得到阱电阻Rw，其中，Vpt为MOS管中寄生三极管的开启电压，Ibody，turn为所述反转点所对应体区电流。