[发明专利]一种测试MOS器件阱电阻的方法有效
| 申请号： | 201410509907.0 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104377143B | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 胡志远;张正选;宁冰旭;毕大炜;彭超;邹世昌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测试 mos 器件 电阻 方法 | ||
1.一种测试MOS器件阱电阻的方法，其特征在于，所述测试MOS器件阱电阻的方法至少包括：
选取芯片中的一个MOS管，将所述MOS管的源极及体区接地，并在所述MOS管的栅极加上工作电压VDD，在所述MOS管的漏极加上扫描电流ID，同时测量所述MOS管的漏极电压VD及体区电流Ibody；
绘制VD-ID曲线，寻找曲线中的漏极电压反转点，记录该反转点所对应的漏极电流ID,turn，通过公式Rw＝Vpt/Ibody，turn计算得到阱电阻Rw，其中，Vpt为MOS管中寄生三极管的开启电压，Ibody，turn为所述反转点所对应体区电流。
2.根据权利要求1所述的测试MOS器件阱电阻的方法，其特征在于：进一步根据公式Rw＝Rw□*L/W得到阱方块电阻Rw□＝Vpt*(W/L)/Ibody，turn，其中L为所述MOS管的沟道长度，W为所述MOS管的沟道宽度。
3.根据权利要求1所述的测试MOS器件阱电阻的方法，其特征在于：通过测量所述MOS管的体区与源极之间的I-V曲线得到所述MOS管中寄生三极管的开启电压。
4.根据权利要求1所述的测试MOS器件阱电阻的方法，其特征在于：所述MOS管的沟道长度范围是10～100微米，沟道宽度范围是1～10微米。
5.根据权利要求1所述的测试MOS器件阱电阻的方法，其特征在于：所述MOS管为PMOS管或NMOS管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
