[发明专利]铁电存储器设备有效
| 申请号： | 201410508927.6 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104517634B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 平山智久;森田敬三;篠崎直治 | 申请（专利权）人： | 富士通半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 杜诚,陈炜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种铁电存储器设备，包括存储器阵列，其包括多个铁电存储器单元；码生成电路，其被配置为将写入数据和奇偶校验生成器矩阵相乘以生成校验比特，由此产生汉明码，该汉明码中布置有信息比特和校验比特，该信息比特是写入数据；以及驱动电路，其被配置为将汉明码写入存储器阵列，其中，奇偶校验生成器矩阵具有多个行，并且每一行中“1”的数目是偶数。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 设备 | ||
【主权项】：
一种铁电存储器设备，包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括多个铁电存储器单元；码生成电路，所述码生成电路用于将写入数据和奇偶校验生成器矩阵相乘以生成校验比特，由此产生汉明码，所述汉明码中布置有信息比特和所述校验比特，所述信息比特是所述写入数据；以及驱动电路，所述驱动电路用于将所述汉明码写入所述存储器阵列，其中，所述奇偶校验生成器矩阵具有多个行，并且每一行中“1”的数目是偶数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通半导体股份有限公司，未经富士通半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410508927.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 感测存储器单元-201910339063.2
- U·迪温琴佐 - 美光科技公司
- 2019-04-25 - 2019-11-01 - G11C11/22
- 本申请案是针对感测存储器单元。描述了用于感测存储器单元的装置和方法。所述存储器单元可包含铁电存储器单元。在读取操作期间，共源共栅可耦合预充电电容器与所述存储器单元以在所述预充电电容器与所述存储器单元之间传送电荷。所述共源共栅可基于在所述电容器与所述存储器单元之间传送的所述电荷而隔离所述电容器与所述存储器单元。第二电容器(例如，寄生电容器)可在所述读取操作期间继续将额外电荷量提供到所述存储器单元。在所述读取操作期间的此电容值改变可由于与所述电容值改变相关联的非线性电压特性而提供大感测窗口。
- 用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案-201910319023.1
- 松原安士 - 美光科技公司
- 2019-04-19 - 2019-10-29 - G11C11/22
- 本申请案涉及用于保护存储器装置中所存储的数据的存取方案。在一个实例中，存储器装置可包含与数字线及板线耦合的一组存储器单元。一种操作所述存储器装置的方法可包含：对所述一组存储器单元中的选定存储器单元执行存取操作；及基于执行所述存取操作而对所述多个存储器单元中的非选定存储器单元执行均衡操作。所述均衡操作可包含经由所述数字线及所述板线对所述非选定存储器单元的相对端子施加相等的电压，这可允许例如由所述存取操作所致的泄漏电荷等的累积电荷耗散。此均衡操作可减小在进行存取操作之后非选定存储器单元中发生存储损失的可能性。
- 用于铁电存储器的自我参考-201880012337.0
- D·维梅尔卡蒂 - 美光科技公司
- 2018-02-15 - 2019-10-01 - G11C11/22
- 本发明描述用于自我参考存储器单元的方法、系统及设备。单元的参考值可通过所述单元上的多个感测操作来产生。所述单元可被感测若干次且至少两个感测操作的平均值可用作为另一感测操作的参考。例如，所述单元可被感测且所得电荷可存储于电容器处。所述单元可偏压到一个状态、可被再次感测、且所得电荷可存储于另一电容器处。所述单元可偏压到另一状态、可被第三次感测且所得电荷可存储于另一电容器处。来自所述第二及所述第三感测操作的值可平均化且用作为与所述第一感测操作的值相比较的参考值以确定所述单元的逻辑状态。
- 一种铁电存储器抗单粒子翻转加固方法-201611247460.X
- 郭红霞;魏佳男;罗尹虹;丁李利;张凤祁;张阳;潘霄宇 - 西北核技术研究所
- 2016-12-29 - 2019-09-27 - G11C11/22
- 本发明提供一种铁电存储器抗单粒子翻转加固方法，包括选取样品芯片并按照辐照剂量分组；辐照样品并经与未辐照样品对比，去除性能严重退化的样品芯片；将得到的性能正常的样品芯片在重离子加速器上进行单粒子翻转测试；同时将未经辐照的相同批次的样品芯片作为对照组，在相同的实验环境下进行测试；得到不同累积剂量下该样品芯片的单粒子翻转截面；分析e中的截面数据，得到能够满足加固需求的最佳累积剂量，并将其作为该款铁电存储器的抗单粒子翻转加固的标准剂量。本发明是一种外部加固方法，不改变芯片的版图、生产工艺，也不改变芯片的封装尺寸以及工作时序，因此经过加固的芯片可直接用于替换未加固的芯片，无需重新设计电路。
- 用于消除存储器单元变化的技术及装置-201910192313.4
- 安古服平;J·迈赫迪 - 美光科技公司
- 2019-03-14 - 2019-09-24 - G11C11/22
- 本发明涉及用于消除存储器单元变化的技术及装置。描述用于消除存储器单元变化的方法、系统及装置。存储器装置可包含：数字线；铁电存储器单元，其与所述数字线耦合；第一电容器，其包含第一节点及第二节点，所述第一节点使用第一路径与所述数字线耦合且所述第二节点使用与所述第一路径不同的第二路径与所述数字线耦合；及开关组件，其定位于所述第二路径中且与所述第一电容器的所述第二节点及所述数字线耦合，所述开关组件经配置以选择性地耦合所述第一电容器的所述第二节点与所述数字线。在一些情况中，所述存储器装置可进一步包含：第二电容器，其与所述数字线及所述第一电容器的所述第二节点耦合。
- 非挥发性铁电存储器件及其驱动方法-201810157460.3
- 黄哲盛 - 首尔大学校产学协办团
- 2018-02-24 - 2019-08-30 - G11C11/22
- 本发明涉及非挥发性铁电存储器件及其驱动方法。本发明一实施例的非挥发性铁电存储器件作为非挥发性存储器件，包括半导体活性层、多个存储单元以及控制电路，多个存储单元在半导体活性层上串联结合，控制电路对多个存储单元中的选择存储单元执行读取工作及编程工作，非挥发性铁电存储器件的特征在于，各个存储单元可具有栅极结构，栅极结构包括：上述半导体活性层上的顺电层；电介质堆栈，具有铁电层及电荷捕获点，铁电层层叠于顺电层上，电荷捕获点通过配置于顺电层与铁电层之间的界面或半导体活性层与顺电层之间的界面来借助所捕获的电荷而产生铁电层的负电容效应；以及上述铁电层上的控制栅极。
- 包含铁电存储器及用于访问铁电存储器的设备及方法-201910073020.4
- 永田亨一 - 美光科技公司
- 2019-01-25 - 2019-08-06 - G11C11/22
- 本发明揭示包含铁电存储器及用于刷新铁电存储器的设备及方法。实例设备包含：字线；第一存储器单元，其耦合到第一数字线，并且响应于处于活跃状态的所述字线而将第一数据存储在所述第一数据线上；第二存储器单元，其耦合到第二数字线，并且响应于处于所述活跃状态的所述字线而将第二数据存储在所述第二数字线上。在刷新操作中，所述第一数字线耦合到第一电力电势，且所述第二数字线耦合到第二电力电势。
- 脉冲积分器和存储器技术-201811384582.2
- 埃尔南·A·卡斯特罗;杰里米·M·赫斯特 - 美光科技公司
- 2018-11-20 - 2019-07-16 - G11C11/22
- 本申请案是针对脉冲积分器和存储器技术。描述了用于脉冲积分器和存储器技术的方法、系统和装置。第一装置可促进使用至少一个电流脉冲对存储器单元进行放电直到与所述存储器单元相关联的电压到达参考电压为止。可至少部分地基于至少一个电流脉冲的持续时间确定所述存储器单元的放电时间。在一些实例中，可至少部分地基于放电时间确定所述存储器单元的状态。
- 用于单板配置和存储器阵列操作的设备和方法-201811541633.8
- F·贝代斯基;E·博兰里那 - 美光科技公司
- 2018-12-17 - 2019-07-16 - G11C11/22
- 描述用于单板配置和存储器阵列操作的设备和方法。非易失性存储器阵列可利用单板来覆盖所述阵列的子集。可通过在固定电压下操作所述板和未经选择的存储器单元的存取线来选择所述子集的一或多个存储器单元。可对所述所选单元的存取线施加第二电压，且随后减小所述第二电压以执行存取操作。去除所述所施加的电压可以允许所述存储器单元在后续存取操作之前经历一段恢复期。
- 虚拟接地感测电路及相关装置、系统及方法-201680028734.8
- G·G·马罗塔;M·D·蒂布尔齐 - 美光科技公司
- 2016-05-10 - 2019-07-02 - G11C11/22
- 本发明揭示虚拟接地感测电路、电系统、计算装置及相关方法。虚拟接地感测电路包含：感测电路，其经配置以将参考电压电势与感测节点电压电势相比较；及虚拟接地电路，其可操作地耦合到所述感测电路。所述虚拟接地电路经配置以：将第一偏置电压电势处的虚拟接地提供到可操作地耦合到所选择的铁电存储器单元的导线；且响应于所述所选择的铁电存储器单元从第一极化状态变为第二极化状态而将所述导线放电到感测节点。一种方法包含：将第二偏置电压电势施加到可操作地耦合到所述所选择的铁电存储器单元的另一导线；且将感测节点电压电势与参考电压电势相比较。电系统及计算装置包含虚拟接地感测电路。
- 一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法-201910246108.1
- 王建禄;吴广健;王旭东;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2019-03-29 - 2019-06-28 - G11C11/22
- 本发明公开一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法。器件结构为：导电衬底上依次有二维半导体和铁电薄膜层。器件制备步骤是在导电衬底上制备二维半导体，然后制备铁电薄膜，随后利用压电力显微技术对二维半导体上的铁电薄膜写入周期性正‑反向畴结构，利用铁电电畴调控二维半导体WS2的光致发光强度。铁电畴极化向下区域的WS2发光强度明显强于极化向上的区域，利用荧光相机拍摄出的荧光相片呈现出与极化方向相对应的明暗区域，将这些明暗区域分别代表存储器的开态(“1”)和关态(“0”)，从而实现存储的目的。该类光电存储器具有结构简单，存储密度大，非易失性，保持特性良好，一次性可获得全部存储信息，摆脱传统读出电路限制的特点。
- 在非易失性子阵列中存储存储器阵列操作信息-201780057040.1
- C·J·川村;S·J·德尔纳;C·L·英戈尔斯 - 美光科技公司
- 2017-08-28 - 2019-05-21 - G11C11/22
- 本发明描述用于存储与非易失性阵列的操作相关的操作信息的方法、系统及设备。举例来说，所述操作信息可存储在存储器阵列的子阵列中以用于分析存储器阵列的所述操作中的错误。在一些实例中，阵列驱动器可位于命令解码器与存储器阵列之间。所述阵列驱动器可接收用于执行用于存取存储器阵列的非易失性存储器单元的存取指令的信号型式，且可根据所述信号型式存取第一组非易失性存储器单元。所述阵列驱动器还可将所述存取指令(例如，所述存取指令的二进制表示)存储在所述存储器阵列的非易失性子阵列处。
- 电源电压下降保护电路和用于嵌入式FRAM的方法-201480012117.X
- A·拉赫曼;T·倪黑;T·佐藤;U·辻修 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2014-03-05 - 2019-05-07 - G11C11/22
- 本申请公开了通过将调节的电压VLDO施加到传导性管脚5‑1从而避免FRAM 2中的数据损坏。开关SW1被耦合于传导性管脚和FRAM的功率端子之间，从而FRAM电源电压VFRAM在开关被闭合时等于调节的电压。传导性管脚被耦合至数字电路3的功率端子，从而使得数字电路电源电压VCORE等于调节的电压。功率中断被检测从而产生了打开开关并且还防止开始FRAM中的新的读取操作和写入操作的中断信号nBORdet。充足的FRAM电源电压由内部电容器CINT维持，同时在预定间隔期间完成了FRAM中正在进行的读取操作和写入操作。传导性管脚通过开关和传导性管脚之间的键合线电感(LWIRE)可以被耦合至开关，从而抑制开关和传导性管脚之间的瞬态电流的流动。
- 包括铁电存储器且用于操作铁电存储器的装置及方法-201780052759.6
- S·J·德尔纳;C·J·川村 - 美光科技公司
- 2017-08-02 - 2019-04-16 - G11C11/22
- 本发明揭示包括铁电存储器及用于操作铁电存储器的装置及方法。一种实例性装置包括电容器，所述电容器具有第一极板、第二极板及铁电介电材料。所述装置进一步包括第一数字线及经配置以将所述第一极板耦合到所述第一数字线的第一选择组件，并且还包括第二数字线及经配置以将所述第二极板耦合到所述第二数字线的第二选择组件。
- 包含铁电存储器及用于存取铁电存储器的设备及方法-201780053168.0
- S·J·德尔纳;C·J·川村 - 美光科技公司
- 2017-08-02 - 2019-04-16 - G11C11/22
- 本发明揭示包含铁电存储器及用于存取铁电存储器的设备及方法。一种实例方法包含：增大电容器的第一单元极板的电压以改变所述电容器的第二单元极板、第二数字线及第二感测节点的电压。减小所述第二单元极板及所述第二数字线的所述电压以改变所述第一单元极板、第一数字线及第一感测节点的电压。响应于所述第一节点的所述电压大于所述第二节点而将所述第一节点驱动到第一电压且将所述第二节点驱动到第二电压。响应于所述第一节点的所述电压大于所述第二节点而将所述第一节点驱动到所述第二电压且将所述第二节点驱动到所述第一电压。
- 存储器阵列中的单元底部节点复位-201810908369.0
- 樱井清武;松原安士 - 美光科技公司
- 2018-08-10 - 2019-02-26 - G11C11/22
- 本申请案与存储器阵列中的单元底部节点复位有关。本发明描述用于存储器阵列中的单元底部节点复位的方法、系统及装置。所述存储器阵列可包含多个铁电存储器单元，所述多个铁电存储器单元具有单元底部节点及与所述单元底部节点相对的单元板。可将零电压施加到所述存储器阵列中的多个数字线。可激活多个字线以将所述多个数字线电耦合到所述铁电存储器单元中的每一者的单元底部节点。因此，可将所述铁电存储器单元中的每一者的所述单元底部节点复位到所述零电压。
- 擦除FeFET存储器电路的方法-201580039628.5
- 斯特凡·费迪南德·米勒 - 纳姆实验有限责任公司
- 2015-07-23 - 2019-02-26 - G11C11/22
- 描述了一种用于擦除包括多个存储器单元的铁电场效应晶体管(FeFET)存储器电路的技术，该存储器单元包括FeFET。每个FeFET包括栅极堆叠、源极、漏极、沟道和块体衬底区域，其中栅极堆叠包括栅极和设置在栅极与沟道之间的铁电层。根据沟道类型，向至少一个FeFET存储器单元的源极和漏极区施加正或负电压。在向FeFET存储器单元的源极和漏极区施加正电压期间，栅极和块体衬底区域保持在接地状态，以致使至少一个FeFET存储器单元的擦除。此外，描述了具有邻近栅极堆叠内的铁电层设置的电荷存储层的FeFET。
- 铁电内存及其数据读取、写入与制造方法和电容结构-201710449284.6
- 刘福洲 - 萨摩亚商费洛储存科技股份有限公司
- 2017-06-14 - 2018-12-25 - G11C11/22
- 本案所提供的铁电内存的一个选定铁电记忆胞电性耦接至第一与第二位线、第一与第二字线以及板线。此选定铁电记忆胞包括：第一场效应晶体管、第二场效应晶体管以及铁电电容。其中，第一场效应晶体管的控制端电性耦接至第一字线，第一场效应晶体管的第一通路端电性耦接至第一位线，其第二通路端电性耦接至铁电电容的第一电容端及第二场效应晶体管的第二通路端；铁电电容的第二电容端电性耦接至板线；第二场效应晶体管的控制端电性耦接至第二字线，且其第一通路端电性耦接至第二位线。
- 一种基于垂直读写操作的多态非易失性固态存储单元-201810703697.7
- 杨远俊 - 合肥工业大学
- 2018-06-30 - 2018-12-14 - G11C11/22
- 本发明公开了一种基于垂直读写操作的多态非易失性固态存储单元，固态存储单元包括底电极层、形成在底电极层之上的铁电性压电层、位于其上的中间电极层、紧邻中间电极层的pn结层以及位于其上的顶电极层。铁电性压电层作为信息的写入层，pn结层用做信息存储层；在垂直方向电场作用下铁电性压电层具有多个应变态，并使得其上pn结层具有多个非易失性电阻态，进而实现信息的写入和擦除；沿着垂直方向施加读出电流或电压于pn结层上，使得存储层的信息被垂直读出。信息的垂直写入和读出以及多态性特征有利于大幅提高存储密度；本发明利用电场实现信息写入和擦除亦有利于降低信息存取功耗。
- 一种铁电存储器抗单粒子翻转加固方法及系统-201810781001.2
- 郭红霞;魏佳男;琚安安;郭维新;钟向丽;秦丽;潘霄宇;张阳;欧阳晓平;李波 - 湘潭大学
- 2018-07-17 - 2018-12-07 - G11C11/22
- 本发明公开一种铁电存储器抗单粒子翻转加固方法及系统。对多个待加固的铁电存储器进行功能验证和全参数测试，获得功能验证结果和全参数测试结果；对所述待加固铁电存储器进行反应堆中子辐照，获得预辐照铁电存储器；对所述预辐照铁电存储器进行感生放射性监测，获得加固铁电存储器；对所述加固铁电存储器进行功能验证和全参数测试，将所述功能验证结果、所述全参数测试结果与所述加固铁电存储器功能验证结果、加固铁电存储器全参数测试结果进行比较；将所述正常加固铁电存储器进行单粒子翻转测试。实现了在不改变铁电存储器的顶层设计和生产工艺条件，经过加固的铁电存储器能够直接用于替换未加固的铁电存储器，节约了开发成本。
- 基于源/漏电极区差异性铁电极化的四态铁电晶体管存储器的操作方法-201810588956.6
- 朱国栋;陈秋松 - 复旦大学
- 2018-06-08 - 2018-11-27 - G11C11/22
- 本发明属于信息技术领域，具体为一种基于源/漏电极区差异性铁电极化的四态铁电晶体管存储器的操作方法。本发明通过在源漏栅三极间施加不同的电压，使源/漏区铁电膜具有互不依赖的铁电极化取向，借助源/漏区域铁电极化状态的组合可以在一个铁电晶体管上实现四个存储状态。本发明在不改变铁电晶体管存储器制备工艺和结构的情况下，可直接使其存储容量翻倍，适用范围广。
- 基于单元的参考电压生成-201780014398.6
- S·J·德尔纳;C·J·卡瓦姆拉 - 美光科技公司
- 2017-01-25 - 2018-10-23 - G11C11/22
- 描述用于操作一或若干铁电存储器单元的方法、系统和装置。第一铁电存储器单元可被初始化为第一状态且第二铁电存储器单元可被初始化为不同状态。每一状态可具有对应数字线电压。所述第一和第二铁电存储器单元的数字线可连接，从而使得在所述两个数字线之间发生电荷共享。由所述两个数字线之间的所述电荷共享产生的电压可由其它组件用作参考电压。
- 一种集成于继电保护装置中的共享存储电路-201720829906.3
- 洪广焦;汤乃传;陈胜兴;胡寒立;郑可可 - 上海正泰自动化软件系统有限公司
- 2017-07-10 - 2018-10-02 - G11C11/22
- 本实用新型公开了一种集成于继电保护装置中的共享存储电路，其特征在于，包括F‑RAM，F‑RAM的一端分别与第一总线开关的一端和第二总线开关的一端连接，第一总线开关的另一端和第二总线开关的另一端分别连接ARM和DSP，第一总线开关通过或非门连接ARM的PA0引脚和PA1引脚，第二总线开关通过与非门连接非门的一端和DSP的PA0引脚，非门的另一端连接ARM的PA1引脚，F‑RAM的W引脚通过非门连接ARM的PA0引脚，F‑RAM的R引脚通过与非门分别连接DSP的PA0引脚、ARM的PA1引脚和非门，非门连接ARM的PA0引脚。本实用新型集成于微机测控保护装置中，实现了双CPU共享存储器的功能。
- 一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置-201820385103.8
- 宋元应 - 深圳市正合智能控制技术有限公司
- 2018-03-21 - 2018-09-18 - G11C11/22
- 本实用新型公开了一种保护芯片在上下电期间数据被异常写入装置，包括电源E、RST芯片U1、开关管T1、开关管T2、RST芯片U2、MCU、flash存储器U4、FRAM存储器U5和逻辑芯片U6，本实用新型的有益效果是：1、数据存储和逻辑芯片U6的供电电源受控，不直接使用系统工作电源，避免了电源上下电时的渐变过程，从而避免了系统在开关机时出现异常的偶发事件。2、利用专用复位芯片或电压监控芯片有输出作为控制信号，可以保证受控电源与系统的同步，不会发生数据丢失和异常写入的错误。3、受控电源电路简单，容易实现和集成。4、将传统的工作电源改成受控源，提高系统可靠性。
- 一种确定FeRAM工作状态的方法及装置-201810255158.1
- 郭红霞;秦丽;张凤祁;欧阳晓平;罗尹虹;钟向丽;郭维新;李波;张阳;琚安安;魏佳男 - 湘潭大学
- 2018-03-26 - 2018-07-20 - G11C11/22
- 本发明公开了一种确定FeRAM工作状态的方法及装置，属于空间辐射损伤效应及抗辐射加固领域。该方法包括：向FeRAM在设定电压下写入第一数据，将从所述FeRAM内回读的第二数据与所述第一数据进行匹配，将匹配合格的第一FeRAM在设定电压下写入第三数据，并将所述第一FeRAM通过辐射板放置在腔体内；在设定的工作方式下及设定的辐射剂量率下，对第一FeRAM辐照至设定的辐射剂量点，将完成辐射的所述第一FeRAM内回读第四数据，统计静态功耗电流、动态功耗电流与所述辐射剂量的关系，直至匹配不合格时结束试验，根据所述静态功耗电流，所述动态功耗电流和所述辐射剂量的关系确定所述FeRAM的工作状态。
- 一种基于数据压缩技术的时间序列信号存储测试装置及方法-201810026072.1
- 周继昆;张荣;邓婷 - 中国工程物理研究院总体工程研究所
- 2018-01-11 - 2018-06-22 - G11C11/22
- 本发明属于嵌入式存储测试及数据压缩技术领域，具体公开一种基于数据压缩技术的时间序列信号存储测试装置及方法，该装置可以准确有效的记录电子学系统产生的一系列时间动作信号，并提出了一种数据压缩存储算法，采用这种算法进行数据存储，可以极大的减少装置对存储器容量的开销，该装置具有测量精度高、体积小、功耗低、携带方便、存储时间长等优点。
- 一种铁电存储器-201410210114.9
- 贾泽;赵俊峰;杨伟;邹重人 - 华为技术有限公司;电子科技大学
- 2014-05-16 - 2018-03-16 - G11C11/22
- 本发明实施例公开了一种铁电存储器，可包括第一存储单元列、第一参考单元、第二参考单元和控制电路；第一参考单元和第二参考单元用于提供参考电压；控制电路，用于在读取第一存储单元列中的第一存储单元中所存储数据时，根据参考电压与第一存储单元的输出信号，获得第一存储单元中所存储的数据；在读取出了第一存储单元所存储的数据之后，将与数据的取值不同的数据写入第一参考单元，并将与读取的第一存储单元中所存储的数据的取值相同的数据写入第二参考单元。本发明实施例提供铁电存储器有利于提高参考单元与存储单元的数据回写效率，均衡参考单元对中的两个参考单元的读写疲劳度。
- 铁电随机存取存储器(FRAM)布局设备和方法-201380018336.4
- D·J·托普斯;M·P·克林顿 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2013-04-01 - 2018-03-06 - G11C11/22
- 本发明涉及具有阵列段(310‑1，310‑2)的铁电随机存取存储器(FRAM)，每个阵列段具有以行和列布置的FRAM单元(324)阵列，其中每行和板线与耦合到位线单元(326)的位线关联且每列与字线关联。传感电路具有耦合到第一段(310‑1)位线和耦合到第二段(310‑2)位线的感应放大器(328)。位置与阵列段邻近的板驱动器(308‑1、308‑2)耦合到板线。与板驱动器位置邻近的行接口电路(304‑1、304‑2)耦合到字线。字线升压电路(316)耦合到行接口电路。输入/输出(IO)总线(318)耦合到每个感应放大器且纠错码(ECC)逻辑电路(320)耦合到IO总线。控制器(322)耦合到IO总线、ECC逻辑电路、传感电路和行接口电路。
- 基于铁电存储器的励磁装置智能数据存储单元及工作方法-201510276803.4
- 商建锋;杨彦杰;陈健 - 天津睿信创和电气有限公司
- 2015-05-27 - 2018-02-09 - G11C11/22
- 基于铁电存储器的励磁装置智能数据存储单元，包括微控制器MCU模块、液晶显示模块、键盘模块、时钟模块、存储模块I、存储模块II、CAN通讯模块I、CAN通讯模块II、RS485通讯模块、RS232通讯模块；通过CAN通讯模块I和CAN通讯模块II与励磁调节器、智能功率柜、智能灭磁柜、智能端子交互数据，通过时钟模块产生时间标签，将采集来的数据和相应时间标签存储到存储模块I和存储模块II；通过液晶显示模块和键盘模块形成人机界面，通过RS485通讯模块与电厂DCS系统通讯，通过RS232通讯模块与调试计算机通讯。本发明的有益效果采用铁电存储器，其容量大、读写速度快、可读写次数多、掉电保存数据时间长；网络的可靠性高；保证励磁装置完成故障录波和开关量追忆功能。
- 形成界面偶极子层的系统和方法-201680010808.5
- J·J·徐;X·李 - 高通股份有限公司
- 2016-01-29 - 2017-10-13 - G11C11/22
- 一种形成电子设备的方法，该方法包括邻近场效应晶体管(FET)的栅极区中的介电层(204)形成除氧层(230)。在该介电层与该FET的基板之间有界面层(214)。该方法进一步包括通过对该除氧层、该介电层和该界面层进行退火来形成偶极子层。
- 专利分类
