[发明专利]用于半导体器件的结构和方法在审
| 申请号： | 201410507439.3 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105097470A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈志良;赖志明;萧锦涛;刘如淦;沈孟弘;刘俊宏;宋淑惠;杨超源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L23/48;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括：衬底，具有源极/漏极区域以及位于源极/漏极区域之间的沟道区域；栅极结构，位于衬底上方并邻近沟道区域；源极/漏极接触件，位于源极/漏极区域上方并且电连接至源极/漏极区域；以及位于所述源极/漏极接触件上方的接触件保护层。栅极结构包括栅极堆叠件和间隔件。源极/漏极接触件的顶面低于间隔件的顶面，间隔件的顶面与接触件保护层的顶面基本共面。接触件保护层防止在栅极堆叠件上方形成栅极通孔时栅极堆叠件与源极/漏极区域之间产生意外短路。因此，栅极通孔可以形成在栅极堆叠件的任意部分上方，甚至从俯视角度看时，形成在与沟道区域重叠的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：提供其上形成有栅极堆叠件的衬底，所述衬底具有源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域，所述栅极堆叠件设置为邻近所述沟道区域，由间隔件覆盖所述栅极堆叠件的顶面和侧壁；在所述衬底上方形成第一接触部件，所述第一接触部件电连接至所述源极区域和所述漏极区域中的至少一个，所述第一接触部件的顶面低于所述间隔件的顶面；以及在所述第一接触部件上方形成第一介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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