[发明专利]鳍式场效应晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201410505034.6 | 申请日： | 2014-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN105513968B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;张永奎;赵治国;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;胡湘根 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管的制造方法，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成栅介质层和伪栅极；在伪栅极两端的鳍上形成源漏区；去除伪栅极，以形成开口；填满开口以形成多晶替代栅极，并对多晶替代栅极进行掺杂。本发明在去除伪栅极后，再次形成多晶硅的替代栅极，在器件尺寸不断变小后，对于多晶硅的栅极，可以通过掺杂方式进行阈值电压的调节，其工艺较为简单且可行。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有鳍，鳍之间形成有隔离；在鳍上形成栅介质层和伪栅极；在伪栅极两端的鳍上形成源漏区；去除伪栅极以及栅介质层，以形成开口；在开口底部通过氧化法形成替代栅介质层，在开口中填满多晶硅以形成多晶替代栅极，并对多晶替代栅极进行掺杂，以进行晶体管器件的阈值电压的调节。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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