[发明专利]一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构

摘要

本发明提供一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，包括在N型衬底11上顺序层叠的N型缓冲层12、N型下包层13、下渐变层14、有源层15、上渐变层16、P型上包层17和P型接触层18，所述有源层15的材料为GaAs(1‑x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08。本发明提供的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构中，采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段；同时，量子阱结构的采用可以提高SLD的输出功率。

主权项

一种高功率低偏振度的800nm波段SLD外延结构，其特征在于，包括在N型衬底上顺序层叠的N型缓冲层、N型下包层、下渐变层、有源层、上渐变层、P型上包层和P型接触层，所述有源层的材料为GaAs(1‑x)Px，其中所述x为材料磷组分，且0.01≤x≤0.08；采用GaAsP作为量子阱结构的阱层材料，通过调整阱层的组分来调整应变量和发光波长，使TE模和TM模的光强相等，从而达到低偏振度光输出的要求，且发光波长恰好处于800nm波段。