[发明专利]一种形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法及其基材有效
| 申请号： | 201410498442.3 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105274489B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李利;于剑峰;严英杰 | 申请（专利权）人： | 奈尔公司 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 美国俄亥俄州*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是关于一种形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法，包含:提供基材和含硅化合物；在隔绝空气和温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中裂解该含硅化合物以形成气体组成；借由氩气传送碳氢化合物的蒸气进入上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中，该碳氢化合物的蒸气和上述裂解的含硅化合物所形成的气体组成混合形成反应物；及在上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中,借由气相沉积程序使该反应物形成纳米片状结构网络在该基材之上,该纳米片状结构网络和该基材之间具有共价键结。再者，该纳米片状结构网络是类石墨烯纳米片状结构网络。 1 | ||
| 搜索关键词： | 纳米片状结构 高温炉 基材 含硅化合物 石英管 网络 碳氢化合物 气体组成 反应物 裂解 制备 隔绝空气 共价键结 类石墨烯 气相沉积 氩气 传送 | ||
【主权项】：
1.一种形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法，其特征在于该形成纳米片状结构网络在基材上的制备方法包含:提供基材和含硅化合物；在隔绝空气和温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中裂解该含硅化合物以形成气体组成；借由氩气传送碳氢化合物的蒸气进入上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中，该碳氢化合物的蒸气和上述裂解的含硅化合物所形成的气体组成混合形成反应物；及在上述温度在500至1500℃之间的高温炉或高温炉的石英管中,借由气相沉积程序使该反应物形成纳米片状结构网络在该基材之上,该纳米片状结构网络和该基材之间具有共价键结，且上述的纳米片状结构网络是类石墨烯纳米片状结构网络。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
