[发明专利]源极局域互连结构的形成方法

摘要

本发明提供一种源极局域互连结构的形成方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在衬底上依次形成层间介质层、底部抗反射涂层以及第一掩膜层，第一掩膜层具有界定通孔的第一开口；步骤S02：形成暴露出所述衬底的通孔；步骤S03：去除第一掩膜层以及底部抗反射涂层；步骤S04：形成填充层以及第二掩膜层，第二掩膜层具有界定沟槽的第二开口；步骤S05：形成沟槽；步骤S06：去除第二掩膜层以及填充层，填充金属材料，形成源极局域互连结构。本发明最终形成一种上端为沟槽、下端为通孔的源极局域互连结构，该结构避免了沟槽与STI结构接触，解决了在刻蚀过程中STI结构损耗过多，导致衬底漏电和击穿电压不足的问题。

主权项

一种源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上依次形成层间介质层、底部抗反射涂层以及第一掩膜层，所述第一掩膜层具有界定通孔的第一开口；步骤S02：沿所述第一开口对所述底部抗反射涂层以及层间介质层刻蚀，以形成暴露出所述衬底的通孔；步骤S03：去除所述第一掩膜层以及底部抗反射涂层；步骤S04：在所述通孔内填充有机物并覆盖所述层间介质层，以形成填充层；在所述填充层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层具有界定沟槽的第二开口；步骤S05：沿所述第二开口对所述填充层以及层间介质层刻蚀，以形成沟槽；其中，所述沟槽的底部位于所述层间介质层中；步骤S06：去除第二掩膜层以及填充层，在上端为沟槽、下端为通孔的结构内填充金属材料，以形成源极局域互连结构。