[发明专利]源极局域互连结构的形成方法在审
| 申请号： | 201410491497.1 | 申请日： | 2014-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104269378A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 李程;吴敏;杨渝书;秦伟;高慧慧 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 局域 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上依次形成层间介质层、底部抗反射涂层以及第一掩膜层，所述第一掩膜层具有界定通孔的第一开口；
步骤S02：沿所述第一开口对所述底部抗反射涂层以及层间介质层刻蚀，以形成暴露出所述衬底的通孔；
步骤S03：去除所述第一掩膜层以及底部抗反射涂层；
步骤S04：在所述通孔内填充有机物并覆盖所述层间介质层，以形成填充层；在所述填充层上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层具有界定沟槽的第二开口；
步骤S05：沿所述第二开口对所述填充层以及层间介质层刻蚀，以形成沟槽；其中，所述沟槽的底部位于所述层间介质层中；
步骤S06：去除第二掩膜层以及填充层，在上端为沟槽、下端为通孔的结构内填充金属材料，以形成源极局域互连结构。
2.根据权利要求1所述的源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，步骤S01中,所述第一掩膜层为光刻胶层、无定形碳涂层、可旋涂的玻璃涂层或有机绝缘层其中的一种或几种的组合。
3.根据权利要求1所述的源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，步骤S04中，所述填充层为底部抗反射涂层、无定形碳涂层或有机绝缘层其中的一种。
4.根据权利要求1所述的源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，步骤S04中，所述第二掩膜层为底部抗反射涂层或光刻胶层。
5.根据权利要求1所述的源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，步骤S05中，所述沟槽的深度不小于
6.根据权利要求5所述的源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，所述衬底上具有栅极，所述沟槽的底部与所述栅极的顶部之间的间距至少为
7.根据权利要求1所述的源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，步骤S06中，在上端为沟槽、下端为通孔的结构内填充金属材料，具体包括：
在上端为沟槽、下端为通孔的结构表面淀积氮化钛粘接层或钛粘接层；
在上端为沟槽、下端为通孔的结构内填充金属钨；
对沟槽内的金属钨平坦化，形成源极局域互连结构。
8.根据权利要求7所述的源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，采用物理气相积淀工艺淀积氮化钛粘接层或钛粘接层。
9.根据权利要求1所述的源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，步骤S03中，去除所述第一掩膜层以及底部抗反射涂层的工艺为灰化工艺。
10.根据权利要求1所述的源极局域互连结构的形成方法，其特征在于，形成通孔以及沟槽的工艺均为等离子刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
