[发明专利]晶粒选择方法及坏晶地图产生方法有效
申请号: | 201410486306.2 | 申请日: | 2014-09-22 |
公开(公告)号: | CN104637833B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 蔡振扬;廖惇材;周明澔;杨上毅;吴佳兴 | 申请(专利权)人: | 旺矽科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种晶粒选择方法及坏晶地图产生方法。此晶粒选择方法包括下列步骤点测多个晶粒,以测量这些晶粒的光电特性;将具有相近光电特性的这些晶粒转移至分选载体;通过自动化光学检测设备来观测在分选载体上的这些晶粒,以产生观测结果,其中观测结果包括这些晶粒在分选载体上的位置及这些晶粒是否有损伤;依照观测结果描绘坏晶地图,其中坏晶地图具有至少一坏晶标记,以标示出这些晶粒中有损伤者的位置;依照坏晶地图的坏晶标记来挑除这些晶粒中有损伤者。 | ||
搜索关键词: | 晶粒 选择 方法 地图 产生 | ||
【主权项】:
一种晶粒选择方法,其特征在于,包括:点测多个晶粒,以测量所述多个晶粒的光电特性;将所述多个晶粒依照所述多个晶粒的光电特性转移至分选载体;通过自动化光学检测设备来观测在所述分选载体上的所述多个晶粒,以产生观测结果,其中所述观测结果包括所述多个晶粒在所述分选载体上的位置及所述多个晶粒是否有损伤;依照所述观测结果描绘坏晶地图,其中所述坏晶地图具有至少一坏晶标记,通过显示装置以图像形式标示出所述多个晶粒中有损伤者的位置;以及依照所述坏晶地图的所述坏晶标记来挑除所述多个晶粒中有损伤者。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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