[发明专利]一种全介质反射膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410480020.3 申请日: 2014-09-19
公开(公告)号: CN104237985A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 刘爽;陈逢彬;陈静;李尧;熊流峰;张尚剑;刘永;钟智勇 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G02B5/08 分类号: G02B5/08;G02B1/10;C23C16/24
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 李玉兴
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种制作工艺连续、制作成本较低且便于制作的全介质反射膜及其制备方法。本发明所述的全介质反射膜采用密度为2.15-2.32g/cm3的非晶硅薄膜制作成高折射率膜层,采用密度为1.90-2.10g/cm3的非晶硅薄膜制作成低折射率膜层,高折射率膜层和低折射率膜层都是采用非晶硅薄膜,非晶硅薄膜只需通过交替改变PECVD沉积过程中的反应条件,即可得到密度不同的非晶硅薄膜,该反射膜在结构上只采用了非晶硅作为膜层材料,具有工艺连续、一次成膜的优点,同时,当前成熟的非晶硅薄膜生产工艺使得该种反射膜得以低成本、大面积制备,具有很强的实用意义。适合在光器件领域推广应用。
搜索关键词: 一种 介质 反射 及其 制备 方法
【主权项】:
一种全介质反射膜,包括基底(1)以及多层高折射率膜层(2),所述多层高折射率膜层(2)依次层叠的设置在基底(1)的上表面,所述相邻的两层高折射率膜层(2)之间设置有一层低折射率膜层(3),其特征在于:所述高折射率膜层(2)是密度为2.15‑2.32g/cm3的非晶硅薄膜,所述低折射率膜层(3)是密度为1.90‑2.10g/cm3的非晶硅薄膜。
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