[发明专利]基于螺旋状多晶硅式场效应管充电的半导体启动器件及制造工艺

摘要

本发明公开了一种基于螺旋状多晶硅式场效应管充电的半导体启动器件，电阻的第一端和场效应管的漏极连接作为输入端，电阻的第二端、场效应管的栅极、电子开关的第一端和二极管的负极连接，场效用管的源极、反馈控制模块的负极信号输入端与电容的第一端连接作为输出端，反馈控制模块的输出端与电子开关的控制输入端连接，反馈控制模块的正极信号输入端、电容的第二端、电子开关的第二端、稳压二极管的正极均接地。本发明还公开了一种半导体启动器件的制造工艺，用BCD工艺集成场效应管、电阻和稳压二极管。本发明所述半导体启动器件采用集成的场效应管直接对电容充电，因其自身导通时电阻小、功耗小，所以电源效率高、损耗小、发热量低。

主权项

一种基于螺旋状多晶硅式场效应管充电的半导体启动器件，其电源输入端的输入电压为电容充电，所述电容的两端为电源输出端，其特征在于：N型高浓度衬底上设有N型轻掺杂外延层，N型轻掺杂外延层的其中一半区域内设有P型埋层，P型埋层上设有第一N阱，第一N阱上设有第一N型重掺杂和厚氧化层，厚氧化层上设有螺旋状多晶硅构成电阻；N型轻掺杂外延层的另一半区域内设有第二N阱、第一P阱、第二P阱和第三P阱，第一P阱靠近第一N阱，第三P阱靠近第一P阱，第二N阱靠近第三P阱，第二P阱靠近第二N阱，第一P阱上设有第一P型重掺杂和第二N型重掺杂，第一P型重掺杂构成稳压二极管的正极，第二N型重掺杂构成稳压二极管的负极，第二P阱上设有第二P型重掺杂和第三N型重掺杂，第二P阱和第二N阱相邻位置的上方依次设有栅氧层和多晶硅层，第二P型重掺杂和第三N型重掺杂相互连接引出端线构成场效应管的源极，多晶硅层引出端线构成场效应管的栅极，第二N阱构成场效应管的漏极，场效应管的漏极通过内导线引至N型高浓度衬底，电阻的第一端通过第一N阱连接至N型高浓度衬底，场效应管的源极同时与电容的第一端和反馈控制模块的负极信号输入端连接，反馈控制模块的输出端与电子开关的控制输入端连接，电子开关的第一端同时与场效应管的栅极、稳压二极管的负极和电阻的第二端连接，电容的第二端、反馈控制模块的正极信号输入端、电子开关的第二端、第三P阱和稳压二极管的正极均接地，N型高浓度衬底引出接线端作为所述半导体启动器件的电源输入端的正极，电容的第一端引出接线端作为所述半导体启动器件的电源输出端的正极。