[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201410475451.0 | 申请日: | 2014-09-17 |
公开(公告)号: | CN104465659B | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 牧幸生 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L27/11;G11C11/40 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括位线、与位线交叉的字线、多个第一接触图案和多个第二接触图案。字线延伸以在平面图中与位线交叉。在平面图中,第一接触图案中的每一个在位线延伸的方向上伸长。在平面图中,第二接触图案中的每一个在相对于位线和字线的各自延伸的方向倾斜的方向上伸长。第一接触图案和第二接触图案形成在半导体衬底的主表面上的相同的层中。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有主表面;位线,所述位线在所述主表面上延伸;字线,在平面图中,所述字线在所述主表面上延伸,以便与所述位线交叉;多个第一接触图案,在平面图中,所述多个第一接触图案包括在所述位线延伸的方向上伸长的接触图案和在所述字线延伸的方向上伸长的接触图案中的至少一个;和多个第二接触图案,在平面图中,所述多个第二接触图案每一个都在相对于所述位线和所述字线的各自延伸的方向倾斜的方向上伸长,其中,所述第一接触图案和所述第二接触图案形成在所述主表面上的相同的层中,以及其中,所述第一接触图案和所述第二接触图案在平面图中不相重叠并且被彼此隔开地布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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