[发明专利]前切割保护液及使用此保护液的晶片加工方法有效
| 申请号： | 201410471080.9 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN105489472B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 吕志升;黄礼勇;张鸿铭 | 申请（专利权）人： | 长春石油化学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种前切割保护液及使用此保护液的晶片(Wafer)加工方法。所述前切割保护液，包括聚乙烯醇或变性聚乙烯醇、紫外光吸收剂以及溶剂。聚乙烯醇或变性聚乙烯醇的聚合度大于或等于1000。以聚乙烯醇或变性聚乙烯醇为100重量份计，紫外光吸收剂的添加量大于10重量份。本发明的前切割保护液可适用于不同功率的激光切割，且其所形成的保护膜可利用水来移除。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 保护 使用 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种前切割保护液，包括：聚乙烯醇或变性聚乙烯醇，其中所述聚乙烯醇或所述变性聚乙烯醇的聚合度大于或等于1000；紫外光吸收剂，其中以所述聚乙烯醇或所述变性聚乙烯醇为100重量份计，所述紫外光吸收剂的添加量大于10重量份；以及溶剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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