[发明专利]一种低介电常数材料薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低介电常数材料薄膜及其制备方法。本发明以含氟萘乙基有机硅单体和烃基二氯硅烷为起始原料，以四甲基二乙烯基硅氧烷为封端剂，通过缩合反应制得含氟萘乙基乙烯基硅油；该含氟萘乙基乙烯基硅油和含氢硅油或者含氢硅氧烷混合，涂于硅片上形成一层薄膜，利用紫外光照射使所述薄膜发生发应，然后对薄膜进行退火处理，制得所述低介电常数材料薄膜。本发明中制得的低介电常数材料薄膜的介电常数可达2.0～2.5，因此可用作45nm以下的极大规模集成电路上的低介电常数材料。该低介电常数材料薄膜的制备方法简单，有利于工业化生产。

主权项

1.一种低介电常数材料薄膜，其特征在于，该低介电常数材料薄膜的制备方式为：以含氟萘乙基有机硅单体和烃基二氯硅烷为起始原料，以四甲基二乙烯基硅氧烷为封端剂，通过缩合反应制得含氟萘乙基乙烯基硅油，该含氟萘乙基乙烯基硅油和含氢硅氧烷混合，涂于硅片上形成一层薄膜，利用紫外光照射使所述薄膜发生反应，然后对薄膜进行退火处理，制得所述低介电常数材料薄膜；所述含氟萘乙基有机硅单体的结构如式(Ⅰ)所示，其中，Rf为‑(CH2)m(CF2)nF或‑(CH2)m(CF2)nH，其中m为1～2的整数，n为1～10的整数；R1为甲基或苯基；R2为‑H或Rf；R3为‑H或Rf。