[发明专利]鸟嘴长度的测试方法及装置有效
| 申请号： | 201410450137.7 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105390409B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;文燕;王焜;石金成;高振杰 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种鸟嘴长度的测试方法及装置。该方法包括：分别获取第一金属氧化物半导体场效应晶体MOS管的最大跨导值和第二MOS管的最大跨导值；依据所述第一MOS管的最大跨导值和所述第二MOS管的最大跨导获得鸟嘴长度。本发明实施例选用同类型且工艺流程一样的两个MOS管，通过第一MOS管的电特性曲线和第二MOS管的电特性曲线分别测试第一MOS管的最大跨导值和第二MOS管的最大跨导值，依据MOS管的最大跨导值与MOS管的有效沟道宽度成正比、与MOS管的沟道长度成反比，且MOS管的有效沟道宽度为MOS管的预设沟道宽度减去2倍的鸟嘴长度计算鸟嘴长度，提高了对鸟嘴长度测量的精确度。 | ||
| 搜索关键词： | 鸟嘴 测试方法及装置 有效沟道宽度 电特性 沟道 金属氧化物半导体 长度测量 长度计算 工艺流程 场效应 成正比 减去 预设 测试 | ||
【主权项】：
1.一种鸟嘴长度的测试方法，其特征在于，包括：分别获取第一金属氧化物半导体场效应晶体MOS管的最大跨导值和第二MOS管的最大跨导值，所述第一MOS管和所述第二MOS管同类型，所述第一MOS管和所述第二MOS管的工艺流程相同，且所述第一MOS管的预设沟道宽度与所述第二MOS管的预设沟道宽度不同；依据所述第一MOS管的最大跨导值和所述第二MOS管的最大跨导获得鸟嘴长度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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