[发明专利]在聚合物基板上形成金属图案的方法有效
| 申请号： | 201410448908.9 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105321800B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 罗昱凯;陈世宏;郭昱甫;庄子文 | 申请（专利权）人： | 启碁科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所(普通合伙)11269 | 代理人： | 严慎,支媛 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在聚合物基板上形成金属图案的方法。所述在聚合物基板上形成金属图案的方法包括提供一聚合物基板；在所述聚合物基板的表面上形成一混合层，其中所述混合层包括活性载体介质与分散于所述活性载体介质中的纳米粒子；进行激光步骤以处理部分的所述混合层，以在所述聚合物基板的所述表面上形成导电图案；进行清洗步骤，以移除未经处理的所述混合层部分，以暴露出所述聚合物基板的所述表面，同时保留所述导电图案留在所述聚合物基板的所述表面上；以及对留在所述聚合物基板上的所述导电图案进行电镀处理，以在所述导电图案上面形成金属图案。藉由使用本发明的制作方法，生产成本可降低且工艺的灵活性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 基板上 形成 金属 图案 方法 | ||
【主权项】：
一种在聚合物基板上形成金属图案的方法，所述在聚合物基板上形成金属图案的方法包括：提供一聚合物基板；在所述聚合物基板的表面上形成一混合层，其中所述混合层包括活性载体介质与分散于所述活性载体介质中的纳米粒子；通过用激光步骤处理所述混合层融合所述混合层的一部分中的所述纳米粒子，以在所述聚合物基板的所述表面上形成导电图案，其中所述纳米粒子通过在所述激光步骤期间从所述纳米粒子产生的热被融合在一起；进行清洗步骤，以移除未经处理的所述混合层的部分，以暴露出所述聚合物基板的所述表面，同时保留所述导电图案留在所述聚合物基板的所述表面上；以及对留在所述聚合物基板上的所述导电图案进行电镀处理，以在所述导电图案上形成金属图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于启碁科技股份有限公司，未经启碁科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410448908.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基板清洗方法
- 下一篇：一种专用电容器的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
