[发明专利]一种太阳能电池钝化膜的制作方法无效
| 申请号： | 201410448332.6 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104183670A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 黄纪德;蒋方丹;金浩;陈康平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能电池钝化膜的制作方法，(1)将P型多晶硅片完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后采用臭氧对硅片表面进行氧化钝化，生成一层二氧化硅薄层，所述臭氧浓度为10～40mg/L，流量为2～10slm，反应时间为2～10分钟；(2)将氧化钝化后的硅片送入镀膜设备中，在二氧化硅薄层表面沉积一层均匀的氮化硅薄层。本发明可有效提升短路电流和开路电压，电池效率将有0.1%左右的提升，同时成本低廉，且该技术与传统镀膜工艺兼容，适合于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 钝化 制作方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池钝化膜的制作方法，其特征在于：(1)将P型多晶硅片完成酸制绒、磷扩散、刻蚀清洗工序后采用臭氧对硅片表面进行氧化钝化，生成一层二氧化硅薄层，所述臭氧浓度为10～40mg/L，流量为2～10slm，反应时间为2～10分钟；(2)将氧化钝化后的硅片送入镀膜设备中，在二氧化硅薄层表面沉积一层均匀的氮化硅薄层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
