[发明专利]SOI器件及其构成静电保护器件结构在审
| 申请号： | 201410445481.7 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104332493A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 苏庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI器件，包括：绝缘氧化层位于硅衬底上方，一NMOS管位于所述绝缘氧化层上方包括：P型阱两侧的第一N型扩散区即漏区和第二N型扩散区即源区以及P型阱上方的多晶硅栅；层间氧介质位于第一N型扩散区、第二N型扩散区和场氧化层的上方，所述层间氧介质中具有金属通孔将第一和第二N型扩散区引出，还具有一位于所述多晶硅栅上方的金属层，所述多晶硅栅和金属层被所述层间氧介质隔离，所述多晶硅栅和金属层之间层间氧介质的厚度小于该器件其他区域层间氧介质的厚度，且该厚度大于等于3500埃。本发明还公开了由所述SOI器件构成的静电保护器件结构。本发明的SOI器件与现有SOI器件比较能降低SOI器件触发电压。 | ||
| 搜索关键词： | soi 器件 及其 构成 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种SOI器件，包括：绝缘氧化层位于硅衬底上方，一NMOS管位于所述绝缘氧化层上方包括：P型阱两侧的第一N型扩散区即漏区和第二N型扩散区即源区以及P型阱上方的多晶硅栅；第一和第二N型扩散区的另一侧形成有场氧化层，层间氧介质位于所述第一N型扩散区、第二N型扩散区和场氧化层的上方，所述层间氧介质将所述多晶硅栅与所述P型阱隔离，所述层间氧介质中具有金属通孔将第一和第二N型扩散区引出，其特征是：还具有一位于所述多晶硅栅上方的金属层，所述多晶硅栅和金属层被所述层间氧介质隔离，所述多晶硅栅和金属层之间层间氧介质的厚度小于该器件其他区域层间氧介质的厚度，且该厚度大于等于3500埃。
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