[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备有效
申请号: | 201410443553.4 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN104425535B | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 河村隆宏 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种固态成像装置包括像素,该像素包括光电转换元件、第一转移栅极和第二转移栅极,观点转换元件响应于入射光而产生电荷,第一转移栅极将来自光电转换元件的电荷转移至电荷保持部,第二转移栅极将来自电荷保持部的电荷转移至浮置扩散部。第一转移栅极包括沟槽栅极结构,其具有至少两个埋设在半导体衬底的深度方向上的沟槽栅极部,并且电荷保持部包括位于相邻的沟槽栅极部之间的半导体区域。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:像素,包括光电转换元件、第一转移栅极和第二转移栅极,该光电转换元件构造为响应于入射光而产生电荷,该第一转移栅极构造为将来自该光电转换元件的电荷转移至电荷保持部,该第二转移栅极构造为将来自该电荷保持部的电荷转移至浮置扩散部,其中该第一转移栅极包括沟槽栅极结构,其具有埋设在半导体基板的深度方向上的至少两个沟槽栅极部,并且该电荷保持部包括位于该至少两个沟槽栅极部中相邻的沟槽栅极部之间的半导体区域,其中,该至少两个沟槽栅极部的每一个的深度与该半导体区域的深度一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的