[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备有效

专利信息
申请号: 201410443553.4 申请日: 2014-09-02
公开(公告)号: CN104425535B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: 河村隆宏 申请(专利权)人: 索尼半导体解决方案公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 焦玉恒
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种固态成像装置包括像素,该像素包括光电转换元件、第一转移栅极和第二转移栅极,观点转换元件响应于入射光而产生电荷,第一转移栅极将来自光电转换元件的电荷转移至电荷保持部,第二转移栅极将来自电荷保持部的电荷转移至浮置扩散部。第一转移栅极包括沟槽栅极结构,其具有至少两个埋设在半导体衬底的深度方向上的沟槽栅极部,并且电荷保持部包括位于相邻的沟槽栅极部之间的半导体区域。
搜索关键词: 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备
【主权项】:
1.一种固态成像装置,包括:像素,包括光电转换元件、第一转移栅极和第二转移栅极,该光电转换元件构造为响应于入射光而产生电荷,该第一转移栅极构造为将来自该光电转换元件的电荷转移至电荷保持部,该第二转移栅极构造为将来自该电荷保持部的电荷转移至浮置扩散部,其中该第一转移栅极包括沟槽栅极结构,其具有埋设在半导体基板的深度方向上的至少两个沟槽栅极部,并且该电荷保持部包括位于该至少两个沟槽栅极部中相邻的沟槽栅极部之间的半导体区域,其中,该至少两个沟槽栅极部的每一个的深度与该半导体区域的深度一致。
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