[发明专利]固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种固态成像装置，包括：

像素，包括光电转换元件、第一转移栅极和第二转移栅极，该光电转换元件构造为响应于入射光而产生电荷，该第一转移栅极构造为将来自该光电转换元件的电荷转移至电荷保持部，该第二转移栅极构造为将来自该电荷保持部的电荷转移至浮置扩散部，其中

该第一转移栅极包括沟槽栅极结构，其具有埋设在半导体基板的深度方向上的至少两个沟槽栅极部，并且

该电荷保持部包括位于该至少两个沟槽栅极部中相邻的沟槽栅极部之间的半导体区域，其中，该至少两个沟槽栅极部的每一个的深度与该半导体区域的深度一致。

2.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该至少两个沟槽栅极部的每一个在深度方向上的尺寸大于在垂直于该深度方向的方向上的尺寸。

3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该半导体基板具有第一导电类型并且该半导体区域具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。

4.根据权利要求3所述的固态成像装置，其中该半导体基板的一部分设置在该半导体区域和该至少两个沟槽栅极部的每一个之间。

5.根据权利要求4所述的固态成像装置，其中该第一导电类型为P型，并且该第二导电类型为N型。

6.根据权利要求4所述的固态成像装置，其中该第一导电类型为N型，并且该第二导电类型为P型。

7.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该半导体区域也作为该第二转移栅极的源极或漏极之一。

8.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该第一转移栅极还包括遮光部。

9.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中该遮光部包括埋设在该至少两个沟槽栅极部的每一个中的部分。

10.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中该遮光部包括覆盖该第一转移栅极的上表面和侧表面的部分。

11.根据权利要求8所述的固态成像装置，其中该遮光部的材料为钨。

12.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该至少两个沟槽栅极部为至少三个沟槽栅极部。

13.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该第一转移栅极的材料为多晶硅。

14.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该像素还包括构造为将累积在该光电转换元件中的电荷释放的释放栅极。

15.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该像素还包括构造为将保留在该浮置扩散部中的电荷释放的复位栅极。

16.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该像素为背侧照射型。

17.一种固态成像装置的制造方法，包括：

提供半导体基板；

在该半导体基板上形成像素，该像素包括光电转换元件、第一转移栅极和第二转移栅极，该光电转换元件构造为响应于入射光而产生电荷，该第一转移栅极构造为将来自该光电转换元件的电荷转移至电荷保持部，该第二转移栅极构造为将来自该电荷保持部的电荷转移至浮置扩散部，其中

该第一转移栅极包括沟槽栅极结构，其具有埋设在半导体基板的深度方向上的至少两个沟槽栅极部，并且

该电荷保持部包括位于该至少两个沟槽栅极部中相邻的沟槽栅极部之间的半导体区域，其中，该至少两个沟槽栅极部的每一个的深度与该半导体区域的深度一致。

18.一种电子设备，包括：

光学部；

固态成像装置；和

数字信号处理器电路；

其中该固态成像装置包括：

像素，包括光电转换元件、第一转移栅极和第二转移栅极，该光电转换元件构造为响应于入射光而产生电荷，该第一转移栅极构造为将来自该光电转换元件的电荷转移至电荷保持部，该第二转移栅极构造为将来自该电荷保持部的电荷转移至浮置扩散部，其中

该第一转移栅极包括沟槽栅极结构，其具有埋设在半导体基板的深度方向上的至少两个沟槽栅极部，并且

该电荷保持部包括位于该至少两个沟槽栅极部中相邻的沟槽栅极部之间的半导体区域，其中，该至少两个沟槽栅极部的每一个的深度与该半导体区域的深度一致。