[发明专利]磊晶基板、磊晶基板的制造方法及发光二极管在审
| 申请号： | 201410441892.9 | 申请日： | 2014-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN105449058A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种磊晶基板，可用于形成发光二极管，其包括透光基体、设置在透光基体上的第一缓冲层及第二缓冲层，所述透光基体包括第一表面及与第一表面相对的第二表面，多个凸起形成在所述透光基体的第一表面，所述第一缓冲层分别形成在所述多个凸起的表面，所述第二缓冲层填充凸起之间的凹槽且覆盖所述第一缓冲层，所述第一缓冲层的折射率大于所述透光基体的折射率且小于所述第二缓冲的折射率。本发明还涉及磊晶基板的制造方法以及采用该磊晶基板的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶基板 制造 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种磊晶基板，用于在其上生长发光二极管磊晶结构，其包括透明光基体、设置在透光基体上的第一缓冲层及第二缓冲层，其特征在于：所述透光基体包括第一表面及与第一表面相对的第二表面，多个凸起形成在所述透光基体的第一表面，所述第一缓冲层分别形成在所述多个凸起的表面，所述第二缓冲层填充凸起之间的凹槽且覆盖所述第一缓冲层，所述第一缓冲层的折射率大于所述透明光基体的折射率且小于所述第二缓冲的折射率。
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