[发明专利]一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410441377.0 申请日: 2014-09-01
公开(公告)号: CN104201181B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 郭同辉;旷章曲;陈多金;陈杰;刘志碧;唐冕 申请(专利权)人: 北京思比科微电子技术股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/76
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 代理人: 郑立明,赵镇勇
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法,包括感光像素阵列和遮光像素阵列,遮光像素阵列周围设置有红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙。从非遮光像素阵列中游走到遮光像素阵列中的光线,经过彩色滤光侧墙时被吸收,所以遮光像素不会受到光线干扰,提升了黑电平校准的质量,提高了图像传感器所采集到的图像质量。
搜索关键词: 一种 改良 电平 校准 图像传感器 及其 制作方法
【主权项】:
一种改良黑电平校准的图像传感器,包括感光像素阵列和遮光像素阵列,其特征在于,所述遮光像素阵列周围设置有以下多种彩色滤光侧墙:红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙;所述红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙的宽度分别大于或等于0.7um;所述红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙的上表面分别与高层遮光金属接触、下表面分别与半导体基体表面接触;相邻的彩色滤光侧墙的距离大于或等于0.2um。
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