[发明专利]一种改良黑电平校准的图像传感器及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201410441377.0 申请日: 2014-09-01
公开(公告)号: CN104201181B 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 郭同辉;旷章曲;陈多金;陈杰;刘志碧;唐冕 申请(专利权)人: 北京思比科微电子技术股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/76
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 代理人: 郑立明,赵镇勇
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 改良 电平 校准 图像传感器 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种改良黑电平校准的图像传感器,包括感光像素阵列和遮光像素阵列,其特征在于,所述遮光像素阵列周围设置有以下多种彩色滤光侧墙:

红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙;

所述红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙的宽度分别大于或等于0.7um;

所述红色彩色滤光侧墙、绿色彩色滤光侧墙和蓝色彩色滤光侧墙的上表面分别与高层遮光金属接触、下表面分别与半导体基体表面接触;

相邻的彩色滤光侧墙的距离大于或等于0.2um。

2.一种权利要求1所述的改良黑电平校准的图像传感器的制作方法,其特征在于,包括步骤:

a.在紧邻制作遮光高层金属工艺之前,旋涂光刻胶并显影,在预定位置开口;

b.干法离子刻蚀,将光刻胶开口处的绝缘介质全部刻蚀掉;

c.清洗光刻胶,将光刻胶全部去除;

d.旋涂第一种彩色滤光材料,至绝缘介质中的洞口完全填平;

e.旋涂光刻胶并显影,在预定位置留胶;

f.干法离子刻蚀,将非留胶位置的第一种彩色滤光材料全部刻蚀掉;

g.清洗光刻胶,将光刻胶全部去除;

h.旋涂光刻胶并显影,在预定位置开口;

i.干法离子刻蚀,将光刻胶开口处的绝缘介质全部刻蚀掉;

j.清洗光刻胶,将光刻胶全部去除;

k.旋涂第二种彩色滤光材料,至绝缘介质中的洞口完全填平;

l.重复步骤e-j,其中步骤f的干法离子刻蚀中,将非留胶位置的第二种彩色滤光材料全部刻蚀掉;

m.旋涂第三种彩色滤光材料,至绝缘介质中的洞口完全填平;

n.化学机械研磨,将绝缘介质上表面的第一种、第二种和第三种彩色滤光材料全部去除。

3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述第一种彩色滤光材料、第二种彩色滤光材料和第三种彩色滤光材料为红色彩色滤光材料、绿色彩色滤光材料和蓝色彩色滤光材料任意排序。

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