[发明专利]晶圆键合的方法以及晶圆的键合部件有效
申请号: | 201410439755.1 | 申请日: | 2014-08-30 |
公开(公告)号: | CN105374741B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 王伟;郑超 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆键合的方法以及晶圆的键合部件,晶圆键合的方法包括:在第一晶圆的第一贴合端表面形成多个第一凸起,多个第一凸起之间具有第一空隙;在第二晶圆的第二贴合端表面形成多个第二凸起,多个第二凸起之间具有第二空隙,所述第二空隙能够容纳第一凸起,所述第一空隙能够容纳第二凸起;对第一晶圆和第二晶圆进行键合工艺,由于第一凸起、第二凸起的尺寸较第一贴合端和第二贴合端较小,使得第一贴合端与第二贴合端之间的接触面分成了多个尺寸较小的接触面,由于第一凸起、第二凸起表面的凹陷而造成的键和空隙占接触面的比例减小,第一贴合端和第二贴合端的实际接触面积有效增大,提高了晶圆之间的连接质量。 | ||
搜索关键词: | 晶圆键合 方法 以及 部件 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆键合的方法,其特征在于,包括:提供第一晶圆和第二晶圆;在第一晶圆中形成第一贴合端;在所述第一贴合端的表面形成多个第一凸起,所述第一凸起之间具有第一空隙,第一空隙的尺寸大于第二凸起的尺寸,在所述第一贴合端的表面形成多个第一凸起的步骤包括:在所述第一晶圆和第一贴合端上形成第一介质层;在所述第一介质层中形成多个露出第一贴合端表面的第二凹槽;在所述第二凹槽内填充第二金属层至覆盖第一介质层表面;对所述第二金属层进行化学机械研磨,至露出第一介质层表面,位于多个第二凹槽内的第二金属层形成多个第一凸起;去除所述第一介质层;在第二晶圆中形成第二贴合端;在所述第二贴合端的表面形成多个用于放置在第一空隙中的第二凸起,所述第二凸起之间具有用于容纳第一凸起的第二空隙,第二空隙的尺寸大于第一凸起尺寸,在所述第二贴合端上形成多个第二凸起的步骤包括:在所述第二晶圆和第二贴合端表面形成第二介质层;在所述第二介质层中形成多个露出第一贴合端表面的第四凹槽;在所述第四凹槽内填充第四金属层至覆盖第二介质层表面;对所述第四金属层进行化学机械研磨,至露出第二介质层表面,位于多个第四凹槽内的第四金属层形成多个第二凸起;去除所述第二介质层;所述第一凸起和第一空隙在第一贴合端表面呈阵列排布,且在阵列的行方向和列方向上第一凸起和第一空隙均交替相邻,构成一“棋盘格”结构;所述第二凸起和第二空隙在所述第二贴合端表面呈阵列排布,且在行方向和列方向上第二凸起和第二空隙均交替相邻,构成另一“棋盘格”结构,第一晶圆上的棋盘格结构与第二晶圆上的棋盘格结构为互补关系;对第一晶圆和第二晶圆进行键合工艺,使第一贴合端和第二贴合端相互对准贴合,使第一凸起位于第二空隙中并与第二贴合端表面接触,还使第二凸起位于第一空隙中并与第一贴合端表面接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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