[发明专利]半导体器件封装方法有效
申请号: | 201410433400.1 | 申请日: | 2014-08-28 |
公开(公告)号: | CN104217969B | 公开(公告)日: | 2017-12-19 |
发明(设计)人: | 施建根;吴谦国;陈文军 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 | 代理人: | 孟阿妮,郭栋梁 |
地址: | 226006 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件封装方法,包括以下步骤,在芯片的电极上键合第一导电柱;在金属层上形成第二导电柱;在第二导电柱远离金属层的一端设置焊帽;倒装芯片,并将第一导电柱远离电极的一端焊接在焊帽上。本发明中芯片电极上键合形成的第一导电柱,能够很好的缓解凸点结构和半导体芯片结合点处的应力,解决由于热膨胀不均匀容易引起的电极断裂导致半导体器件的失效问题。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体器件封装方法,其特征在于,包括以下步骤:在芯片的电极上键合第一导电柱;在金属层上形成第二导电柱,所述第二导电柱的侧面垂直于所述金属层;在上述第二导电柱远离所述金属层的一端设置焊帽;倒装所述芯片,并将所述第一导电柱远离所述电极的一端焊接在所述焊帽上;所述第一导电柱远离所述电极的一端陷入焊帽且所述第一导电柱远离所述电极的一端为圆锥状的端部;所述在金属层上形成第二导电柱,具体为:在金属板上形成干胶光阻;在干胶光阻上通过光刻形成开口;在干胶光阻的开口内电镀形成第二导电柱;所述在上述第二导电柱远离所述金属层的一端设置焊帽,具体为:在第二导电柱远离金属层的一端电镀形成焊帽;去除上述干胶光阻;对所述金属板双面喷涂,在所述金属板的正反两面形成光阻;对所述光阻进行光刻,在所述金属板的两侧分别形成暴露出所述金属板的第一开口和第二开口;双面蚀刻暴露出第一开口和第二开口的金属板,形成多个相互隔离的金属层;去除上述光刻后的光阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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