[发明专利]半导体器件封装方法

权利要求书

1.一种半导体器件封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

在芯片的电极上键合第一导电柱；

在金属层上形成第二导电柱，所述第二导电柱的侧面垂直于所述金属层；

在上述第二导电柱远离所述金属层的一端设置焊帽；

倒装所述芯片，并将所述第一导电柱远离所述电极的一端焊接在所述焊帽上；所述第一导电柱远离所述电极的一端陷入焊帽且所述第一导电柱远离所述电极的一端为圆锥状的端部；

所述在金属层上形成第二导电柱，具体为:

在金属板上形成干胶光阻；

在干胶光阻上通过光刻形成开口；

在干胶光阻的开口内电镀形成第二导电柱；

所述在上述第二导电柱远离所述金属层的一端设置焊帽，具体为:

在第二导电柱远离金属层的一端电镀形成焊帽；

去除上述干胶光阻；

对所述金属板双面喷涂，在所述金属板的正反两面形成光阻；

对所述光阻进行光刻，在所述金属板的两侧分别形成暴露出所述金属板的第一开口和第二开口；

双面蚀刻暴露出第一开口和第二开口的金属板，形成多个相互隔离的金属层；

去除上述光刻后的光阻。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述在芯片的电极上键合第一导电柱，具体为：

在芯片设置有电极的一面设置钝化层；

在所述钝化层上开设暴露出所述电极的孔；

在所述电极上键合所述第一导电柱，所述第一导电柱位于所述孔中。

3.根据权利要求1所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述第一导电柱和所述第二导电柱均为铜柱，所述焊帽为锡帽。

4.根据权利要求3所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述第一导电柱的直径小于所述电极的直径。

5.根据权利要求1所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述第一开口的面积小于第二开口的面积，双面蚀刻暴露出第一开口和第二开口的金属板，在所述金属层远离第二导电柱的一侧形成凸起，在所述凸起上植焊球。

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件封装方法，其特征在于，在所述芯片的外围及所述芯片与金属层之间填充塑封料。

7.根据权利要求6所述的半导体器件封装方法，其特征在于，所述塑封料为树脂。