[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410427598.2 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104465743A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;彭鲲鹏 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括形成在衬底上的超晶格缓冲层。在超晶格缓冲层上形成有上缓冲层。在上缓冲层上由氮化物半导体形成第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成第二半导体层。在第二半导体层上形成栅电极、源电极和漏电极。超晶格缓冲层通过周期地层叠具有不同组成的氮化物半导体膜来形成。上缓冲层由以下氮化物半导体材料形成：该氮化物半导体材料的带隙比第一半导体层的带隙宽并且掺杂有使受主能级的深度大于或等于0.5eV的杂质元素。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在衬底上的超晶格缓冲层；形成在所述超晶格缓冲层上的上缓冲层；在所述上缓冲层上由氮化物半导体形成的第一半导体层；在所述第一半导体层上由氮化物半导体形成的第二半导体层；以及形成在所述第二半导体层上的栅电极、源电极和漏电极，其中所述超晶格缓冲层通过周期地层叠具有不同组成的氮化物半导体膜来形成，并且所述上缓冲层由以下氮化物半导体材料形成：该氮化物半导体材料的带隙比所述第一半导体层的带隙宽，并且掺杂有使受主能级的深度大于或等于0.5eV的杂质元素。
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