[发明专利]一种具有局部帽层的氮化镓基异质结场效应晶体管在审
| 申请号： | 201410427351.0 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN104167444A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;潘沛霖;陈南庭;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有局部帽层的氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层以及势垒层，在势垒层上形成源极、漏极以及栅极，在势垒层上侧栅漏端有局部帽层。本发明通过在栅漏间引入局部帽层，使势垒层和局部帽层之间净剩下负的极化电荷，由此耗尽部分沟道漏端二维电子气，形成LDD(low density drain)结构，从而实现调制沟道的电场分布以提升耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 局部 氮化 镓基异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有局部帽层的氮化镓基异质结场效应晶体管，其结构由下至上依次有衬底(101)，氮化镓(GaN)缓冲层(102)，氮化镓(GaN)沟道层(103)以及势垒层(104)，在势垒层(104)上形成有源极(105)、漏极(106)和栅极(107)，所述源极(105)和漏极(106)与所述势垒层(104)成欧姆接触，所述栅极(107)与所述势垒层(104)成肖特基接触，其特征在于，在所述势垒层(104)的上表面、且于栅极(107)与漏极(106)之间设有局部帽层(201)。
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