[发明专利]无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构有效
| 申请号： | 201410414568.8 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN104377299B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘全胜;王会武;应利良;张国峰;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/22 | 分类号： | H01L39/22;H01L39/24;H01L39/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构，其特征在于在约瑟夫森结的周围制作一圈超导壁，超导壁包围了约瑟夫森结，超导壁起到一个微型磁屏蔽的作用，使外加磁场对约瑟夫森结的干扰得到抑制。超导壁的高度远大于约瑟夫森结的绝缘层厚度。在SQUID的核心结构约瑟夫森结周围制作了一圈基于超导薄膜材料的超导壁，这圈超导壁可以有效的屏蔽外界磁场进入到约瑟夫森结中，从而有效的防止了外界磁场对约瑟夫森结的影响，提高SQUID参数的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 环境 抑制 磁场 干扰 squid 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种无磁屏蔽环境下抑制磁场干扰的SQUID器件的结构，其特征在于在约瑟夫森结的周围制作一圈超导壁，超导壁包围了约瑟夫森结，超导壁起到一个微型磁屏蔽的作用，使外加磁场对约瑟夫森结的干扰得到抑制；在约瑟夫森结周围的SiO2层中设计并制备一圈空洞，空洞底部露出底层的超导薄膜，沉积的超导薄膜并经过刻蚀后在SiO2空洞中及附近形成了一圈围绕约瑟夫森结的超导壁，超导壁与底层超导体相连，从而完成并实现了对约瑟夫森结的磁屏蔽。
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