[发明专利]THz天线阵列的制作方法有效
| 申请号： | 201410412325.0 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104332718B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 梁松;朱洪亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01Q21/00 | 分类号： | H01Q21/00;G02B6/125 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种THz天线阵列的制作方法，包括如下步骤1)选择一衬底；2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料；3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层，刻蚀的形状为四边形结构，其为光混频器波导；4)在光混频器波导上部的接触层之上制作电极，在其两侧的光耦合层上制作电极；5)刻蚀光耦合层，刻蚀深度至无源波导层形成楔形光耦合波导；6)刻蚀无源波导层至缓冲层，形成1×N分光器、输入波导及无源波导，形成基片；7)在基片上制作THz天线，完成制备。本发明可以得到高性能THz天线阵列器件。 | ||
| 搜索关键词： | thz 天线 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种THz天线阵列的制作方法，包括如下步骤：1)选择一衬底；2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料；3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层，刻蚀的形状为四边形结构，其为光混频器波导；4)在光混频器波导上部的接触层之上制作电极，在其两侧的光耦合层上制作电极；5)刻蚀光耦合层，刻蚀深度至无源波导层形成楔形光耦合波导；6)刻蚀无源波导层至缓冲层，形成1×N分光器、输入波导及无源波导，形成基片；7)在基片上制作THz天线，完成制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410412325.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
