[发明专利]THz天线阵列的制作方法有效
| 申请号: | 201410412325.0 | 申请日: | 2014-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN104332718B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
| 发明(设计)人: | 梁松;朱洪亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号: | H01Q21/00 | 分类号: | H01Q21/00;G02B6/125 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | thz 天线 阵列 制作方法 | ||
1.一种THz天线阵列的制作方法,包括如下步骤:
1)选择一衬底;
2)在衬底上依次生长缓冲层、无源波导层、光耦合层、折射率匹配层、光吸收层、包层和接触层材料;
3)依次刻蚀接触层、包层、光吸收层及折射率匹配层材料至光耦合层,刻蚀的形状为四边形结构,其为光混频器波导;
4)在光混频器波导上部的接触层之上制作电极,在其两侧的光耦合层上制作电极;
5)刻蚀光耦合层,刻蚀深度至无源波导层形成楔形光耦合波导;
6)刻蚀无源波导层至缓冲层,形成1×N分光器、输入波导及无源波导,形成基片;
7)在基片上制作THz天线,完成制备。
2.根据权利要求1所述的THz天线阵列的制作方法,其中所述无源波导层、光耦合层及折射率匹配层由具有单一折射率的材料构成或由多种具有不同折射率的材料构成,为不掺杂或n型掺杂,所述缓冲层为不掺杂或n型掺杂。
3.根据权利要求1所述的THz天线阵列的制作方法,其中所述光吸收层为不掺杂或p型掺杂材料,或为经过离子注入处理的材料。
4.根据权利要求1所述的THz天线阵列的制作方法,其中所述包层及接触层的材料为不掺杂或p型掺杂。
5.根据权利要求1所述的THz天线阵列的制作方法,其中所述阵列天线单元数为N,N大于等于2。
6.根据权利要求1所述的THz天线阵列的制作方法,其中所述THz天线的两臂分别与光混频器波导之上的电极及其两侧的电极相连形成集总型天线或行波型天线。
7.根据权利要求1所述的THz天线阵列的制作方法,其中所述无源波导上制作有电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410412325.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





