[发明专利]谐振式压力传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201410407237.1 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN104422547B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 吉田隆司;吉田勇作;汤本淳志;铃木良孝 | 申请（专利权）人： | 横河电机株式会社 |
| 主分类号： | G01L1/10 | 分类号： | G01L1/10;G01L9/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;李铭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种谐振式压力传感器，该谐振式压力传感器包括：第一基底，其包括隔膜和布置在该隔膜上的至少一个凸部；以及至少一个谐振器，其布置在所述第一基底中，在所述凸部中包括该谐振器的至少一部分，并且该谐振器布置在所述凸部的顶部与所述第一基底的中间层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振 压力传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种谐振式压力传感器，包括：第一基底，其包括隔膜和布置在该隔膜上的至少一个凸部；以及至少一个谐振器，其布置在所述第一基底中，在所述凸部中包括该谐振器的至少一部分，该谐振器布置在所述凸部的顶部与所述第一基底的中间层之间,其中，所述第一基底是SOI基底，该SOI基底包括硅基底、表面硅层和布置在所述硅基底与所述表面硅层之间的二氧化硅层，所述第一基底的中间层位于所述硅基底中，并且所述谐振器布置于在所述表面硅层中包括的所述凸部中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于横河电机株式会社，未经横河电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410407237.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
