[发明专利]一种含硅合金靶材及其制备方法

摘要

本发明属于粉末冶金材料制备技术领域，提供一种含硅合金靶材及其制备方法。其靶材成分中硅含量为0<Si(at％)≤80％。本发明采用纯度为99.5％～99.95％的铬粉与纯度为99.9％～99.999％的纯硅粉机械合金化混合，或采用铬粉与CrSi合金粉末混合制备合金粉末，将合金粉末冷等静压后装填入包套内，经在加热状态下抽真空脱气并封焊之后进行热等静压处理、机加工等工序，获得致密度高、显微组织均匀的CrSi靶材。本发明制备的CrSi靶材，可用于电子、半导体、集成电路、防腐蚀、高耐磨性等镀膜领域，制备具有低TCR高稳定性、高方阻的电阻薄膜，以及具有良好耐腐蚀性能、高硬度及良好耐磨性能的涂层。

主权项

1.一种含硅合金靶材的制备方法，其特征在于，所述含硅合金靶材按原子百分比由以下成分组成：硅大于0小于等于80％，其余为铬；所述含硅合金靶材的制备方法，包括以下步骤：步骤一、预合金粉末制备；所述预合金粉末的平均粒径不大于50μm；步骤二、对所述预合金粉末进行冷等静压处理，得到冷等静压压坯，并装入包套内；所述在冷等静压处理的压力为20～196MPa，保压时间为10～30min；步骤三、对装入所述冷等静压压坯的包套进行脱气处理，得到脱气后的锭坯；所述脱气处理的温度为300～450℃，脱气时间为5～30h；步骤四、对所述脱气后的锭坯进行热等静压处理，得到压制后的锭坯，再去除包套得到压制后的坯料；所述热等静压处理的保温温度为800～1080℃，时间2～5h，压力为120～150MPa；步骤五，对所述压制后的坯料进行机加工处理，得到所述含硅合金靶材。