[发明专利]末端射程损伤的检测以及修复方法在审
| 申请号： | 201410403765.X | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104201126A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金;余德钦 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种末端射程损伤的检测方法，在对基底进行离子注入和退火之后，对所述基底进行气态元素的注入，然后分析所述气态元素在所述基底内的分布情况，以检测在所述基底中是否存在未修复的末端射程损伤。本发明还提供了一种末端射程损伤的修复方法，即在检测出未修复的末端射程损伤以后，对之前的离子注入和退火条件加以改善，以找出适合特定工艺的离子注入和退火条件。本发明通过在退火之后加入一个气态元素注入和分析的步骤，能够方便快捷地检测出基底中未修复的末端射程损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 末端 射程 损伤 检测 以及 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种末端射程损伤的检测方法，其特征在于，包括：提供基底；对所述基底注入离子并退火；对所述基底注入气态元素；通过分析所述气态元素在所述基底内的分布情况，检测在所述基底中是否存在末端射程损伤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司;，未经上海华力微电子有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410403765.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制作显示面板的方法
- 下一篇：一种利用表面微纳米结构的低温固态键合方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
