[发明专利]末端射程损伤的检测以及修复方法在审
| 申请号： | 201410403765.X | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104201126A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金;余德钦 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 末端 射程 损伤 检测 以及 修复 方法 | ||
1.一种末端射程损伤的检测方法，其特征在于，包括：
提供基底；
对所述基底注入离子并退火；
对所述基底注入气态元素；
通过分析所述气态元素在所述基底内的分布情况，检测在所述基底中是否存在末端射程损伤。
2.如权利要求1所述的末端射程损伤的检测方法，其特征在于，分析所述气态元素在所述基底内的分布情况的方式是二次离子质谱分析。
3.如权利要求2所述的末端射程损伤的检测方法，其特征在于，所述二次离子质谱分析的方法是：得出所述气态元素在所述基底上各深度的分布图，当所述分布图上存在所述气态元素的峰值时，判断在所述基底中存在末端射程损伤。
4.如权利要求1所述的末端射程损伤的检测方法，其特征在于，在所述基底上具有源区和漏区，所述气态元素注入至所述源区和所述漏区内。
5.如权利要求1所述的末端射程损伤的检测方法，其特征在于，所述气态元素为氟。
6.如权利要求1所述的末端射程损伤的检测方法，其特征在于，所述气态元素注入的能量为10Kev-30Kev。
7.如权利要求1所述的末端射程损伤的检测方法，其特征在于，所述气态元素注入的剂量为1E15-5E15。
8.一种末端射程损伤的修复方法，其特征在于，包括：
提供基底；
以一初始条件对所述基底注入离子并退火；
对所述基底注入气态元素；
通过分析所述气态元素在所述基底内的分布情况，检测在所述基底中是否存在末端射程损伤；
当所述基底中存在末端射程损伤时，在所述初始条件的基础上调整所述离子注入和退火的条件。
9.如权利要求8所述的末端射程损伤的修复方法，其特征在于，对所述基底注入的离子包含掺杂离子和非掺杂离子，调整所述离子注入和退火条件的方法是增加所述非掺杂离子的注入。
10.如权利要求8所述的末端射程损伤的修复方法，其特征在于，调整所述离子注入和退火的条件的方法是增加退火时间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
